电气测量技术第六章.ppt

图6－51　屏蔽环 　　7) 去耦电容器的配置 　　集成电路在工作状态翻转时，其工作电流变化是很大的。 例如，对于具有图6－52所示输出结构的TTL电路，在状态转换的瞬间，其输出部分的两个晶体管，会有大约10 ns的瞬间同时导通， 这时相当于电源对地短路， 每一个门电路，在这一转换瞬间有30 ms左右的冲击电流输出。它在引线阻抗上产生尖峰噪声电压，对其它电路形成干扰，这种瞬变的干扰不是稳压电源所能稳定的。 图6－52　集成电路的工作状态 　　对于集成电路工作时产生的电流突变，可以在集成电路附近加接旁路去耦电容将其抑制，如图6－53所示。其中图6－53(a)的i1、i2、…、in是同一时间内电平翻转时，在总地线返回线上流过的冲击电流。图6－53(b)是加了旁路去耦电容使得高频冲击电流被去耦电容旁路。根据经验，一般可以每5块集成电路旁接一个0.05 μF左右的陶瓷电容，而每一块大规模集成电路也最好能旁接一个去耦电容。 图6－53　集成电路干扰的抑制 　　由以上讨论可知，在印刷电路板的各个关键部位配置去耦电容，是避免各个集成电路工作时对其它集成电路产生干扰的一种常规措施，具体做法如下：  　　(1) 在电源输入端跨接10～100 μF的电解电容器。  　　(2) 原则上，每个集成电路芯片都应配置一个0.01 μF的陶瓷电容器， 如遇到印刷电路板空间小安装不下时，可每4 ～