材料科学基础第2版（于永宁）第6章.pptVIP

可以用虚功原理估算塞积群对障碍物的作用力。 在外应力作用下领头位错向障碍物方向移动了?x，因整个塞积群要保持平衡，所以每个位错也移动?x。外力对塞积群作功为?0nb?x。而障碍物只对领头位错有作用，设施予领头位错的切应力为?，当领头位错移动?x时，障碍物这一反作用力作功为?b?x。上述两种功应相等，故 塞积群在障碍物处产生了很大的应力集中，其应力为外加应力的n倍。这一应力集中对材料塑性变形行为有很大作用 。 塞积群产生的应力场是群内所有位错应力场的叠加，叠加计算比较繁琐。但是，在离开塞积群很远的区域，可以把整个塞积群看成是处于塞积群重心处（离位错源到领头位错约3/4处）的一个柏氏矢量为nb的大位错，用这个大位错的应力场来表示塞积群的应力场。 6.2.12 实际晶体中的位错 全位错—柏氏矢量是晶体点阵中的单位平移矢量。为了使位错自身的能量最低，全位错的柏氏矢量大多是最短的平移矢量。 部分位错（不全位错或半位错）—柏氏矢量不是晶体点阵的平移矢量。 堆垛层错或层错—部分位错扫过的面两侧必产生错排。部分位错必然是层错的边界线。 6.2.12.1 面心立方金属晶体中的位错 面心立方晶体的堆垛 面心立方结构最密排面是{111}，它是按每3层重复堆垛排列的，即堆垛顺序为 ………ABCABCABCABC……… 面心立方结构的最密排面 {111} 按一定的次序堆垛。 第一层{111}面上有两个可堆放的位置：?和?位置，在第二层只能放在一种位置，在面上每个球和下层3个球相切 ，也和上层3个球相切 。 第一层为 A，第二放在B 位置，第三层放在C 位置，第四层在放回A位置。{111}面按…ABCABC…顺序排列，这就形成面心立方结构。 面以及其一些 重要方向 面心立方 面原子排列示意图 ,并标出一些有用的晶向。 为了清楚地看清 面的堆垛，应找一个和 面垂直的面，例如(110)面。(110)面 和面的交线是 方向，所以在(110)面上的一个 方向 就表示一个 面。 堆垛层错 内禀（I型）层错 把晶体相对移动而获得层错的移动矢量称层错矢量 某一层 面相对近邻一层切动a211/6（层错矢量为a211/6 ），即C位置切动到A位置，切动后C层以上的晶体各层位置作如下变化：C?A，A?B，B?C，结果变成 ………ABCABCAB┇ABCABCABC……… 在B┇A处发生了堆垛层错，层错矢量是112/6 ，内禀(I)层错。 这类层错也可以由抽去一层 面（例如C层）而成，这时层错矢量是 。 这类层错在原来密排方向 发生了2个原子长度的曲折，产生了一个原子厚的孪晶层；在层错处出现了几层密排六方排列（即ABAB排列） 。 6.2.8.1 理论切变强度 看到滑移永久变形时，在滑移面上所有的键都要破断。据此，可以估算滑移所需要的临界分切应力。 设切动面每个原子的原子间势函数U(x)近似地用余弦函数表示 在弹性变形范围，应力和应变服从胡克定律： 产生位移所需的切应力?(x) 表达为 因为a?b，所以理论强度近似为G/2?。因为原子间的斥力的短程性，能量曲线不是正弦形的，所以上面的估计是过高的，?c的更合理值约为G/30。理论切变强度和切变模量相差约1个数量级。但是，实验测定的切变强度比理论切变强度低2~4个数量级。 U1的值就是 ～2?102 52 10.32 Be （柱面滑移） ～8?103 1.37 10.32 Be （基面滑移） ～3?102 13.7 3.54 Ti （柱面滑移） ～4?10 39.2 1.47 Mg （柱面滑移） ～4?103 0.57 2.07 Cd ～1?102 33.3 3.48 Nb ～2?102 71.6 11.33 Mo ～3?102 27.5 7.10 Fe ～2?103 3.2～7.35 6.70 Ni ～8?103 0.49 4.10 Cu ～3?103 0.78 2.37 Al ～7?103 0.37 2.64 Ag 理论强度 /实验强度 实验强度/MPa 理论强度（G/30）GPa 晶体 一些金属的理论强度与实验强度的比较 6.2.8.2 位错滑动 位错是容易滑动的。例如刃型位错有多余的半原子面存在，滑动的晶面上、下两侧原子的势能曲线不再是余弦形曲线。设滑动面下侧有N列原子，上侧有N+1列原子，在滑动面两侧原子的势能函数应改写成如下形式 存在势能空谷就不难理解位错在滑移面上容易运动。但位错运动要克服一定的阻力