光纤通信技术基础 陈根祥 光电子技术基础7.pptVIP

半导体电子学基础 Basic Semiconductor Electronics （二） * * 粒子的统计分布 Fermi-Dirac统计分布 （电子） Bose-Einstein统计分布（光子） 自旋为半奇数（电子为1/2）的粒子为费米子，一个状态只能容纳一个粒子。在热平衡状态下，粒子占据能量为 E 的状态的几率服从Fermi-Dirac统计： Ef 为体系的Fermi能级，k 为Boltzmann常数，T 为绝对温度。 T = 0K时，f(E) = 0 for E Ef ； f(E) = 1 for E Ef 。当T 0K时， f(Ef) = 1/2。 E - Ef kT时，Fermi分布退化为经典的Boltzmann分布： 自旋为整数（光子为1）的粒子为玻色子，一个状态可容纳任意数目的粒子。在热平衡状态下，能量为 E 的状态上的平均粒子数服从Bose-Einstein统计： 一般情况下，Ef ≈ 0 载流子态密度 载流子态密度的定义 载流子态密度 一个电子态在相空间所占体积为： 在相空间k-k+dk范围内电子态的数目为： 考虑到电子自旋， k-k+dk范围单位体积内的电子态数目为： 从导带结构 E = Ec+?2k2/2me* 可得：k = (2me*/ ?2)1/2(E-Ec)1/2，以及 dk = (me*/ k?2)dE，因此得到导带内的电子态密度为： 经同样手续，从价带结构 E = Ev-?2k2/2mh* 可得价带空穴态密度为： 能量 E 处单位体积单位能量间隔内的粒子状态数 ρ(E) 状态的相空间体积和相空间态密度 半导体内的载流子浓度 导带电子浓度和价带空穴浓度 非简并情形 在非简并情况下，Ec-Ef kT， Ef-Ev kT 。载流子浓度为： 其中 F 为Fermi-Dirac积分： Fermi能级 本征半导体 P型半导体 对于本征半导体，n = p ，在非简并情形有： 在 T = 0K 时，Ef 位于禁带的中央，随着温度增加， Ef 向导带方向移动，导带中热激发电子数增加。 N型半导体 导带电子主要来自施主杂质态电子向导带的热激发，因此： 在重掺杂（N+型半导体）情形，Ef 将进入导带内部，成为N型简并半导体。 价带空穴主要来自价带电子向受主杂质态的热激发，因此： 在重掺杂（P+型半导体）情形，Ef 将进入价带内部，成为P型简并半导体。 各种掺杂情况下的Fermi能级 I型 N型 P型 N+型 P+型 光与电子的相互作用 自发辐射复合 受激吸收和光生载流子 受激辐射复合 E2→ E1 态的自发辐射速率与 E2 被占据而 E1 为空的几率成正比： B21为材料的Einstein受激辐射系数[eV s-1] 。 B12为材料的Einstein受激吸收系数[eV s-1] 。 ρ(ν) 为频率 ν 附近单位能量间隔单位体积内的光子数[eV-1cm-3]，A 为材料的Einstein自发辐射系数[s-1 cm-3]。 平衡状态下的光子密度分布函数 ρ(ν) 光子态密度 热平衡状态下的光子密度分布：黑体辐射定律 能量为 E 的每一光子态上的平均光子数服从Bose-Einstein分布： 一个光子态在相空间所占体积为： 在相空间k-k+dk范围内光子态的数目为： 考虑到两个正交偏振态， k-k+dk范围内的光子态密度为： 由E = hν = hkc/2πne 可得频率 ν 处单位能量间隔内的光子态密度为： 频率 ν 处单位能量间隔单位体积内的光子数为： Einstein系数 辐射跃迁的细致平衡原则 在辐射跃迁达到平衡的情况下: 由此可得: 辐射跃迁的Einstein系数 由细致平衡原则与黑体辐射定律可得： 考虑入射光场ρ(ν)，由导带电子态 E2 和价带空穴态 E1 之间的受激跃迁所导致的光子密度变化为： 一对电子空穴态之间的净受激辐射增益 带间跃迁的吸收和增益 带间跃迁的光增益谱 由所有导带电子和价带空穴之间的受激跃迁所导致的光子密度变化为： 或写为： 在热平衡状态下，材料内部具有统一的Fermi能级，任意一对能态间的受激跃迁所导致的光增益满足： 平衡状态下的光吸收 非平衡载流子和准Fermi能级 非平衡载流子、带内平衡和准Fermi能级 在热平衡状态下，半导体内的光子密度 ρ(ν) 和载流子浓度 n0 ，p0 等物理量均保持不变，当有能量大于半导体材料禁带宽度的光子入射时，将被吸收并产生光生载流子 Δn 和 Δp，同时热平衡状态被暂时打破。 由于 E2 E1 ，在热平衡状态下总有：g 0。 通过载流子注入或强光脉冲