CEPC硅像素探测器-Indico.PDF

CEPC 硅像素探测器 朱宏博（高能所） 第四届核电子学ASIC研讨会 ，10月31日，中国科技大学 概要 ‣ CEPC 项目简介 ‣ CEPC 顶点探测器要求介绍 ‣ 硅像素探测器分类简述 ‣ CEPC 硅像素探测器研制 ‣ 总结 中科院高能物理研究所 CEPC 硅像素探测器 2 CEPC 简介 ‣ 环形正负电子对撞机（CEPC） ：周长50-100 公里，质心能量约240 GeV，亮度 2×1034 cm-2s-1，其主要任务是希格斯粒子属性的精确测量；未来机器升级为超级 质子对撞机（SPPC） ：质心能量50-100 TeV，可以直接寻找“新物理”。 ‣ 2014年2月28日，第三届中国高能加速器物理战略发展研讨会共识：“CEPC+SPPC 是中国未来高能物理发展的首要选项”。 中科院高能物理研究所 CEPC 硅像素探测器 3 CEPC 探测器结构 ‣ 基于国际直线对撞机（ILC）的ILD探测器方案，针对环形加速器束流特点（聚焦长度， 束团间距、频率，同步辐射本底等），优化对撞区布局设计。 “洋葱型”探测器： • 顶点探测器 • 硅径迹探测器 内 • TPC • 电磁量能器 ↓ • 强子量能器 外 • 缪子探测器 • 谱仪磁铁 ILD探测器可以采用脉冲供电（Power-Pulsing）降低功耗，CEPC只能连 续供电，因而必须采用低功耗电子学设计 → 要求严苛。 中科院高能物理研究所 CEPC 硅像素探测器 4 CEPC 顶点探测器要求 ‣ 对于重味夸克的重建与分辨至关重要（Higgs衰变分支比测量所必需），对撞参数精 度要求： IP 5 10/p · sin3 ✓ µm ‣ CEPC 顶点探测器拟采用三层双面结构，主要指标如下： • 空间分辨率优于3微米 • 物质量（包括冷却+支撑）每层单面低于0.15%X0 → 减小粒子多次散射效应 • 抗辐照要求：总剂量~100 kRad/年，非电离~1011 neq （1 MeV）/年 ‣ 低物质量要求采用减薄技术（ASIC +传感器厚度50微米）；采用风冷，冷却能力有 2 限，因而要求尽量降低电子学+传感器功耗。功耗需要控制在 50mW/cm 以下。 中科院高能物理研究所 CEPC 硅像素探测器 5 硅像素探测器 Reminder: Concepts Classifications II ‣ 根据灵敏区（Sensor）是否与前端电子学（ASIC）是否分离，可以简单分为复合式 （Hybrid）和单片式（Monolithic）。