MgS晶体结构性质的密度泛函研究-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ !! %% !! ， ， ， 3V 1’ UV 1 !! UVW2X2P %% （ ） !%%%;()%R%%R’ !! R(%!;%7 JK,J 58S/TKJ /TUTKJ !%% KQ=G 1 5QYD 1 /VE 1 !# 晶体结构性质的密度泛函研究! ） ） ）） ! ! ! # 陈中钧 肖海燕 祖小涛 !）（电子科技大学应用物理系，成都 $!%%’ ） ）（中国科学院国际材料物理中心，沈阳 !!%%!$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %% ( ) %% ’ !! 采用基于密度泛函理论（ ）基础上的第一性原理赝势平面波方法对 晶体四种构型（ ， ， ， ）的体 *+, -./ 0! 0 0( 0’ 相性质进行了系统研究 计算结果表明， 构型的晶体是间接带隙型半导体，而 ， 和 构型的晶体则是直接 1 0! 0 0( 0’ 带隙型材料，其中 构型的带隙宽度最窄，其值为 在压力不超过 时， 构型的 晶胞是最稳 0 % 1’23 1 %% 1 (456 0! -./ 定的，当压力大于该值时，会发生 构型到 构型的转化 0! 0 1 关键词： ，第一性原理赝势平面波方法，电子结构，转化压力 -./ ： ， ， $% 7!!8 79%: 7!, !H 引 言 H 计算方法与结果讨论 -./ 晶体是一种宽带隙半导体，可以用来制作 ’ ( )( !# 的晶格常数和体积模量 高功率级和高温下使用的设备，以及用来开发蓝绿 光、蓝光、紫外光等多种发光器件，因而引起了众多 所有计算是用基于 *+, 的从头算平面波赝势 学者极大的兴趣，但对该化合物的系统研究还不是 程序 完成的，其中交换 相关能采用广义梯 *JKJ5L ; ［ ］ 很多1 迄今为止，已经使用过不同的理论方法和实验 7