EBIC=EBSD电子背像散射绕射.PPT

EBIC=EBSD 電子背像散射繞射(Electron Back- Scattered diffraction) 報告者：郭俊廷 指導教授:林克默 報告日期：2009.08.28 EBSD分析技術原理 　　EBSD分析技術的原理，是利用SEM中的背向 散射電子來對結晶的材料進行彈性繞射，再利用獲 得的繞射資訊來進行結晶學方面的分析。 　　當電子束撞擊試片時，會在 各方向散亂的產生背向散射電子， 某些背向電子的散射方向剛好會 與結晶材料的特定晶格平面之夾 角，符合產生布拉格定律，產生 繞射。 　　這些繞射會在三度空間形成 半角90-Θ的兩個圓錐，但因繞 射的角度非常小，所以兩個圓錐 可以當作兩個平行的圓盤來看， 在用螢光幕與兩個圓錐交截時， 變成兩條平行線，即菊池線。 　　 菊池線的寬度，表示晶格平面間的間距， 菊池線相交的角度，表示晶格平面間的夾角， 收費標準 成大-微奈米中心 FE-SEM_EBSD(7001) 基本費用：3000/hr 操作員 陳志慶先生 0937793384 重點：本身的材料平整度… ※範例-晶界顯微圖像(逆極圖) ※成功大學 陳志慶同學提供 在機台最佳條件下， 每秒鐘可以解析70- 80個取樣點，但是有 些訊號較弱的試片， 或是需要極高解析度 (20nm等級)的照片可 能每秒鐘只能做2-10 個點。 綠色、黑色、紅色線段為不同類型之晶界