SEMScanningElectronMicroscopy扫描式电子显微镜.PPT

SEM_基本架構 電子槍 第一聚束鏡 第二聚束鏡 物鏡 X光偵測器 樣品室 真空邦浦系統 高電壓 散光校正器 掃瞄線圈 末孔鏡 200nm 2 μm 偵測器系統 影像觀察 與紀錄系統 SEM構造_電子槍 電子槍包括燈絲(陰極，作為電子源)和加速電子用的正極(加速至3-40KeV )。 ※熱離子發射方式(Thermionic Emission): 電子槍有鎢(W)燈絲及六硼化鑭(LaB6)燈絲兩種。以鎢絲線圈為電子槍之陰極，當外加負電壓時，燈絲因溫度上升而放出熱電子。在燈絲的周圍是柵極，加適當負偏壓，其功能主要可以聚焦成如右圖d0大小的交叉點，而所產生的熱電子，因而被陽極所吸引。部份為陽極所加速的熱電子會由陽極底端的開孔射出，此即為電子束來源。 SEM構造_電磁透鏡 利用電磁鐵產生磁場，電子受磁場作用，其行進路線為螺旋狀。進而控制電子束的路徑，使之聚成極小的電子束後，照射於試片表面上。 SEM構造_掃描線圈 這當中被電磁透鏡聚集的電子束，經由掃描線圈來偏折電子束，使其規 則在試片表面做來回移動掃描，掃描的範圍與速度 均可控制，電子束在試片 表面的掃描動作，與顯示器的掃描動作同步。 掃描影像的放大倍率等於顯示器螢幕的邊長，除以試片掃描區域的邊長，所以可以藉著改變試片掃描區域的大小，來控制SEM影像的放大倍率。 電子束對試片所產生的能量 電子束在樣品上掃描照射，產生各種不同訊號，包括入射電子（Incident Electron）、二次電子（Secondary Electron）、背向散射電子（Backscattered Electron）、穿透電子（Transmission Electron）、陰極螢光（Cathode luminescence）、X-ray及歐傑電子（Auger Electron）等。 二次電子(Secondary Electrons,SE)： 電子束進入試片後，激發產生的電子，由於是低能量電子( 50eV)，所以只有在距離試片表面約50~500?深度範圍內產生的二次電子，才有機會逃離試片表面而被偵測到。由於二次電子產生的數量，會受到試片表面起伏狀況影響，所以二次電子影像可觀察出試片表面之形貌特徵。 背向散射電子(Backscattered Electrons,BE)又稱反射電子： 入射電子與試片子發生彈性碰撞，而逃離試片表面的高能量電子，其動能等於或略小於入射電子的能量。由於背向散射電子產生於距試片表面約5000?的深度範圍內，故其影像較二次電子影像更具明顯之立體感。 X光(X-ray): 當入射電子將原子核的內層電子擊出，此時外層電子會躍遷跳入內層軌道，當一個電子由能量不安定的外層跳入能量安定的內層，勢必產生能量差，而此能量差即以X光的形式放出。 二次電子與背向散射電子之區別 二次電子與背向散射電子之區別 二次電子觀察表面凹凸影像(SEI) 背向電子產生原子序對比影像(BEI) Sn:50 Pb:82 SEM構造_偵測器 二次電子偵測器 背向散射電子偵測器 X-光偵測器 二次電子偵測器: 為掃描式電子顯微鏡主要成像之裝置，主要構造為一閃爍器(Scintillator)，可將撞擊其上的電子所產生的光子經由光電管(Photomultiplier)增強放大，而在陰極射線管(CRT)上呈現二次電子影像(Secondary Electron Image，SEI) 。 背向散射電子偵測器: 與二次電子偵測器類似，但由於背向散射電子之行徑呈放射狀，故其偵測器需在其反射途徑上接收信號，由於該電子由樣品中較深層部位釋出，故其影像較二次電子影像更具明顯之立體感。 X-光偵測器(X-ray Detector): X-光微量分析光譜儀有兩種，一為能量光譜儀一為波長光譜儀。電子顯微鏡偵測裝置均以能量光譜儀(EDS)為主，利用所產生之電子束，照射於試樣以產生X-光子，再以偵測器收集訊號，並配合分析X光之光譜儀，可分析試樣內之元素。 成像原理 電腦將表面掃描所產生的各種訊號，逐點轉換成陰極射線管中對應的影像。樣品表面的高點在螢幕上呈現白色，低點則呈深色。如果表面上的點朝向偵測器傾斜，則看起來稍亮；如果傾斜方向為遠離偵測器，看起來較為灰暗。(甘藍菜的花粉顆粒) SEM原理 SEM的主要工作原理： 電子槍透過熱游離或是場發射原理產生高能電子束，經過電磁透鏡組後，可以將電子束聚焦至試片上，利用掃瞄線圈偏折電子束，在試片表面上做二度空間的掃瞄。當電子束與試片作用時，會產生各種不同的訊號，如二次電子、背向散射電子、吸收電子、歐傑電子、特徵X光...等。在一般掃瞄式電子顯微鏡偵測系統上，主要為偵測二次電子及背向散射電子成像，這些訊號經過放大處理後即可成像觀察。