倒易混频.PPT

　　3)　失真与干扰 　　变频器的失真有频率失真和非线性失真。除此之外，还会产生各种非线性干扰，如组合频率、交叉调制和互相调制、阻塞和倒易混频等干扰。所以，对混频器不仅要求频率特性好，而且还要求变频器工作在非线性不太严重的区域，使之既能完成频率变换，又能抑制各种干扰。 　　4) 变频压缩(抑制) 　　在混频器中，输出与输入信号幅度应成线性关系。实际上，由于非线性器件的限制，当输入信号增加到一定程度时，中频输出信号的幅度与输入不再成线性关系，如图6-55所示。图中，虚线为理想混频时的线性关系曲线，实线为实际曲线。这一现象称为变频压缩。通常可以使实际输出电平低于其理想电平一定值(如3 dB或1 dB)的输入电平的大小来表示它的压缩性能的好坏。此电平称为混频器的3 dB(或1 dB)压缩电平。此电平越高，性能越好。 图 6-55 混频器输入、输出电平的关系曲线 　　5) 选择性 　　混频器的中频输出应该只有所要接收的有用信号(反映为中频，即fI=fL－fc)，而不应该有其它不需要的干扰信号。但在混频器的输出中，由于各种原因，总会混杂很多与中频频率接近的干扰信号。为了抑制不需要的干扰，就要求中频输出回路有良好的选择性，亦即回路应有较理想的谐振曲线(矩形系数接近于1)。 　　此外，一个性能良好的混频器，还应要求动态范围较大，可以在输入信号的较大电平范围内正常工作; 隔离度要好，以减小混频器各端口(信号端口、本振端口和中频输出端口)之间的相互泄漏; 稳定度要高，主要是本振的频率稳定度要高，以防止中频输出超出中频总通频带范围。 6.3.2 混频电路 　　1． 晶体三极管混频器 　　晶体三极管混频器原理电路如图6-56所示。由第5章晶体三极管频谱线性搬移电路的分析可知，此时的输入信号ui=us，为一高频已调信号，时变偏置电压Eb(t)=Eb+u2=Eb+uL，且有UsUL, 输出回路对中频fI=fL－fc谐振，由此可得集电极电流iC 为 　　 iC≈Ic0(t)+gm(t)us =Ic0(t)+(gm0+gm1 cosωLt+gm2 cos2ωLt+…)us (6-93) 经集电极谐振回路滤波后，得到中频电流iI (6-94) 式中，gC=gm1/2称为变频跨导。 图 6-56 晶体三极管混频器原理电路 　　从以上的分析结果可以看出: 只有时变跨导的基波分量才能产生中频(和频或差频)分量，而其它分量会产生本振谐波与信号的组合频率。变频跨导gC是变频器的重要参数，它不仅直接决定着变频增益，还影响到变频器的噪声系数。变频跨导gC=gm1/2，gm1只与晶体管特性、直流工作点及本振电压UL有关，与Us无关，故变频跨导gC亦有上述性质。由式(6-94)，有 (6-95) 　　它与普通放大器的跨导有相似的含义，表示输入高频信号电压对输出中频电流的控制能力。在数值上，它是时变跨导基波分量的一半，可以通过求gm(t)的基波分量gm1来求得变频跨导。 (6-96) (6-97) 　　上面已经提到，变频跨导与晶体管特性、直流工作点及本振电压大小等因素有关。了解gC随Eb及UL的变化规律，对选择变频器的工作状态是很重要的。 图6-57和图6-58分别给出了变频跨导与本振电压和偏置电压的关系曲线。 图 6-57 gC～UL的关系 图 6-58 gC～Eb的关系 　　由图6-57可以看出，Eb不变时，当UL从零起在较小范围内增加时，由于未超出gm曲线的线性部分，所以gC与UL成正比，但gC的数值比较小。当UL较大时，随UL的增加gC加大，但由于开始进入gm曲线的弯曲部分，所以gC增大速度逐渐缓慢。当UL很大时，由于gm曲线开始下降，gm曲线上部发生凹陷，基波分量下降，因此，造成gC下降，同时gm(t)中的谐波分量上升。这条曲线说明，当改变本振电压值时，变频跨导存在着最大值，在UL值的一段范围内，gC具有较大的数值。对于锗管，UL一般选为50～200 mV; 对于硅管，UL还要选得大一些。 　　由图6-58可以看出，UL固定不变，当Eb值较小时，gm 的基波分量也小，所以gC值小。随Eb增加，gC基本上线性地增加。当Eb较大时，进入晶体管的非线性段，基波分量仍有增加，但变化缓慢。而当Eb过大时，由于gm曲线的下降，使gC也有所下降。一般选择Ie=0.3～1 mA。实际应用中都是用发射极电流Ie0或Ic0来表示工作点的，但这时的Ie0已不是纯直流工作点电流，而是Ie0(t)中的平均分量。 　　在混频器的实际电路中，除了有本振电压注入外，混频器与小信号调谐放大器的电路形式很相似。本振电压加到混频管的方式，一般有射极注入和基极注入两种。选择本振注入电路要注意两点： 第一，要尽量避免us与uL的相互影响及两