电子技术(第七版2011修改)PPT第二十二章.ppt

PLD电路结构复杂，线路纵横交错，编程点和门电路甚多。为了清晰准确地表示PLD的电路连线和逻辑关系，采用了一些不同常规的表示方法。 1. 行线和列线的交叉点 两种导线的交叉点有三种含义。 (1) 圆点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。(2) 叉点“?”也表示两线连通，但该点是编程点, 出厂 时此点是接通的,用户可根据需要断开或保持接通。 (3) 既无点“?”又无叉点“?”，表示两线是断开的。 ? (a) 固定连接 ? (b) 编程连接 (c) 断开连接 2. 与门与或门 与门输出Y1 = ABD (变量C与与门无关) 或门输出Y2 = A+B+C (变量D与或门无关) PLD中的与门和或门 输出线 输入线 与门的输入线只有一条，称为乘积线；输出线的Y1 = ABD 称为与项。 或门的输入线也只有一条，称为相加线；输出线的Y2 = ABC 称为或项。 3. 输入互补缓冲器和输出三态缓冲 (1) 输入互补缓冲器 (2) 输出三态缓冲器 反相缓冲器 输出 同相缓冲器 输出 输入互补缓冲器可提供互补的原变量A和反变量 , 可增加电路的带负载能力, 主要用于输入电路和反馈输入电路。 A 主要用于PLD的输出电路。 22.3.2 可编程只读存储器 1.一次编程性只读存储器 (PROM) 厂家制造PROM时，使存储矩阵的所有存储单元的内容全为 1。用户可根据自己的需要自行确定存储单元的内容。 PROM存储单元中的熔丝 存储 1 存储 0 熔断器被烧断后不能恢复。只能编程一次，一旦 编号, 就不能再行修改, 所以称一次编程只读存储器。 图1. PROM存储单元全部存1 未编程的存储矩阵 图2. PROM编程后的存储矩阵 已编程的存储矩阵 例1：在前面图1 所示的PROM存储阵列中，编程时已将其中的一些融丝烧断, 如前图 2 所示, 根据此图： (1) 画出存储矩阵的编程阵列图； (2) 说明存储阵列存储的内容； (3) 写出存储矩阵输出端D0 ~ D3的逻辑式。 解：(1) 将图 2 和图 1 对照比较，凡是熔丝烧断后的编程点，将 “?” 擦出，未被烧断熔丝的编程点，将 “?” 保留，存储矩阵的编程阵列图如图 2 (b)所示。 (2) 存储矩阵存储的内容。由图可知，存储的内容为：1001，1100，1001，0110四个字单元。 (3) 存储矩阵输出端或门输出的逻辑式为 D0 = W0 + W2 D1 = W3 D2 = W1 + W3 D3 = W0 + W1 + W2 PROM的基本结构图 固定与 阵列 可编程 或阵列 例2: 试用PROM产生一组逻辑函数。 解：(1) 由于PROM的地址译码器是固定的最小项与阵列，所以需将 Y0~ Y2 各式化为最小项形式。 (3) 由Y0~ Y2最小项画出PROM的编程阵列图 用PROM 产生一组逻辑函数 2. 可改写型只读存储器(EPROM） PROM只能一次编程，而EPROM则可多次擦去并重新写入 新内容。 擦除方法：在EPROM器件外壳上有透明的石英 窗口，用紫外线 (或X射线) 照射，即可完成擦除操作。 3. 电可改型只读存储器(EEPROM） 尽管EPROM能实现擦除重写的目的，但由于紫外线照射时间和照度均有一定要求，擦除的速度也比较慢，为此，又产生了EEPROM。 22.3.3 可编程阵列逻辑 (PAL) PAL基本结构图(一) PLA与PROM 的结构相似，其区别在于APL译码器部分也可由用户自己编程。 PAL基本结构图(二) 22.3.4 通用阵列逻辑 (GAL) 通用阵列逻辑（GAL）是一种可多次编程、可电擦除的通用逻辑器件，它具有功能很强的可编程的输出级，能灵活地改变工作模式。 GAL既能用作组合逻辑器件，也能时序逻辑器件；其输出引脚既能用作输出端，也能配置成输入端。此外，它还可以设置加密位。由于GAL芯片内部电路结构复杂，具体分析从略。 作业： P387:A选择题 22.1.1、22.2.1、22.2.2 P289:B基本题 22.1.2、22.1.3 下一页 章目录 返回 上一页 退出 第22章 存储器和可编程逻辑器件 22.1 只读存储器 22.2 随机存取存储器 22.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别； 第22章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻