电工电子技术(电子技术)——专题1-1.ppt

二极管的电路符号与基本结构(5) 二极管的电路符号与基本结构(6) 二极管的电路符号与基本结构(7) 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 二极管的伏安特性 试验电路如图： 二极管的伏安特性(1) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(2) D iD uD 二极管的伏安特性曲线：死区：对应于二极管开始导通时的外加电压称为 “死区电压”。锗管约为0.2V, 硅管约0.5V。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(3) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 正向导通：呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；正向导通电压基本不变，硅管约为0.7V左右，锗管约为0.3V左右； 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(4) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 反向截止：呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，称为反向饱和电流或漏电流。该电流受温度影响很大。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的伏安特性(5) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 反向击穿：外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，二极管失去单向导电性，对应的电压称为击穿电压。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 二极管的主要参数 最大整流电流ICM 最高反向电压URM 最大反向电流IRM 最高工作频率 fM uD iD 0 URM IRM ICM UBR 1.3 二极管整流电路 单相半波整流电路 单相全波整流电路 单相桥式整流电路 整流电路小结 整流电路 单相半波整流电路 u1 u2 a T b D RL uo u2 0 时，二极管导通。 uo=u2 b u1 u2 a T D RL uo iL=0 u20时，二极管截止。 uo=0 iL 整流电路 参数计算 b u1 u2 a T D RL uo (4) 输出电压平均值: (1) 输出电压波形： iL (3) 最高电压： (2) 平均电流: ID = IL uo u1 U0 整流电路 单相全波整流电路 u1 u2 a T b D1 RL uo D2 u2 iL (4) uo平均值： Uo=0.9U2 (1) 输出电压波形： (3) 二极管上承受的最高电压 (2) 二极管上的平均电流： u1 uo 整流电路 单相桥式整流电路 ~ RL uo ~ RL u uo a ~ Tr RL b u uo ~ RL u uo 整流电路 几种常见的硅整流桥外形： + A C - ~+~- ~ + - ~ 整流电路 单相桥式整流电路 + - u2正半周时电流通路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL uo 整流电路 单相桥式整流电路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL uo - + u2负半周时电流通路 整流电路 单相桥式整流电路 u2 uD4,uD2 uD3,uD1 uo u2 D4 D2 D1 D3 RL uo A B u20 时 D1,D3导通 D2,D4截止 A ? D1? RL?D3?B u20 时 D2,D4导通 D1,D3截止 B ? D2? RL?D4?A 输出是脉动的直流电压！ Uo 整流电路 单相桥式整流电路 u2 D4 D2 D1 D3 RL uo A B t 0 u T (2) 二极管上承受的最高反向电压 (1)二极管上的平均电流 (3) uo平均值： iL iL iD 整流电路 1.整流输出电压平均值（Uo） 负载上的(平均)电流IL: S定义：整流输出电压的基波峰值Uo1m与平均值Uo之比 2. 脉动系数Ｓ 整流电路 3.整流二极管的平均电流(ID)与反向峰值电压(UDRM) 小结 直流稳压电源的组成 二极管及其特性 二极管应用-整流电路 专题一直流稳压电源 问题提出： 现有一个收音机，需要6V直流稳压电源供电才能正常工作，而现场只提供220v交流工频电源插孔，怎样才能为收音机提供正常工作的电源。 ？ 220v 6V 直流稳压电源的组成 半导体直流电源的原理方框图 交流电源 负载 变压 整流 滤波 稳压 u t u t u t u t u t 220v 6V 主要内容 第1讲 二极管及二极管的应用 第2讲 直流稳压电源电路 知识要点 1.1 半导体二极管及其整流作用 1.2 RC滤波电路 1.3 稳压二极管稳压电路 1.4 集成三端稳压器稳压电路 小结 第1讲 二极管及二极管的应用 1.1 半导体二极管及整流电路 半导体基本知识