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检测例）细微的内部裂痕 TD200可以在硅片 0°以及 90°放置时检测 可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测 　硅片0° 检查时的画像 　　硅片90° 检查时的画像 不可视裂痕 NVCD检查部（0°,90°） Edge检查部 ＜edge检查部概图＞ Edge检查部 硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。 TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。 Edge检查部 　　 ＜edge检查范围＞ 　　edge部表/里面 　　?崩边、缺口检查 　　edge部侧面　 　　?崩边、缺口检查 　　?edge侧面厚度测定 检查分辨率15um/pix　 Edge侧面 11.5mm 检查例１）检查edge部缺口 缺口大小） 从edge开始0.6mm 长度2.9mm 侧面画像中也可确认到缺口。 Edge检查部 edge表面 Edge里面 側面 侧面画像也可确认到不良 Edge检查部 检查例２）检查edge部缺口 可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷 Edge检查部 检查例３）检查edge侧面细微缺口 可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度 （去角部除外） Edge侧面画像 Edge检查部 检查例４）测定edge侧面厚度 激光变位器6set（上3/下3） 3D激光检查部 厚度（Max,Min,Ave） TTV 线痕 段差 棱线 翘曲 3D激光检查部 检查例１）厚度小不良 上面测定结果 下面测定结果 厚度演算结果 下限规格在 150μm以下的作不良判定 3D激光检查部 段层不良 线痕不良 检查例２）段层、线痕不良 3D激光检查部 ＜标准式样＞ 对应硅片清洗箩筐 （2套/自动交换） *可对应摞片式、以及客户专用式样 上料部（硅片供给部） 卸料分选部 ＜标准式样＞ 良品分装段数:8（4段×2处） 不良品分装段数:7（1段×7处） 130片/段（t200um厚硅片） *良品最多可分16段,不良品最多可分10段 全9ポート／4or2or1段機構 Wafer Thank you for your participations Best wishes to all of you * 株式会社　安永　ＣＥ事業部 太阳电池用硅片 外观检测装置ＴＤ２００ 2010年11月 株式会社 安永 CE事業部 営業部門 特征 太阳能电池用硅片外观检测综合提案 硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面） 硅片尺寸?形状测定 不可视内部裂痕检查（0° / 90°2阶段检查） 硅片4边edge详细缺陷检查 硅片edge侧面厚度测定 ３Ｄ检测（厚度,TTV,线痕 ,段差,棱线,翘曲） 高速检查 1.0sec/wafer 对应单晶以及多晶硅片　 对应金刚线加工硅片 检查系统构成图 Edge检查 – 左 Edge检查- 右 不可视裂痕检查 （NVCD） 0° 上表面检查 Edge检查 – 后 Edge检查– 前 不可视裂痕检查（NVCD） 90° 下表面检查 硅片 90°转向 3D 激光检查 To 传送 分选部 动作录像 基本配置 硅片类型 单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片） 硅片尺寸 □125mm／□156mm 硅片角部形状 无去角／R面／C面　　（～Max22.8mm） 硅片厚度 *140um～ 处理能力 3,600片/hour (1.0sec/片) 上料部 标准式样：对应硅片清洗箩筐 （上料部数：2处） 　 *可对应摞片式、以及客户专用式样。 下料/分选部 标准式样：摞片分装　（t200um硅片时，130片/段） 　　　　　　　良品可分装段数：8　（4段×2处） 　　　　　　　不良品分装数：7　（1段×7处） 　　　　　　　 *良品最多可分16段,不良品最多可分10段 装置大小 4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm 装置重量 约1,500kg 电源 AC3相 200V　 50/60Hz 　20A（4KVA） 空气 0.39MPa 　50L/min以上 检查项目一览 检查项目 检查精度／可测大小 检查位置 检测装置式样 　外形大小（全长／全宽） 100um以内（3σ） 上下表面检查部 2000pix线扫描摄像头 视野:约170mm 检查分辨率：约85um/pix 　直径大小 200um以内（3σ） 　去边长度 300um以内（3σ） 　角度 0.1°以内（3σ） 　表面裂痕／缺口 □200um以上 　表面污垢 □1mm以上 　针孔(气孔) □100um以上 不可视裂痕 NVCD检查部 （0°,90°） 4000pix线扫描摄像头 视野:约184mm 检查分辨率 :约46um/pix 　内部裂痕 100