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基于金属反射镜电极的高压LED芯片设计 　　【摘 要】我国的LED企业主要集中在封装和应用等下游领域，核心技术力量还比较薄弱，因此如何研制出高性能的LED器件产品，变得尤为重要。本文从提高芯片的发光效率出发，结合现有的制备技术，制备出高性能的高压LED芯片，希望对高压LED芯片今后的研究有所帮助。 　　【关键词】LED芯片；金属反射镜；高压LED；倒?b结构 　　1 LED芯片技术的现状及问题 　　为了满足照明市场的需求，LED芯片工作电流从过去的20mA增加到1A的程度，在这个LED朝着大功率方向的发展中，传统的单个大功率芯片在应用上遇到了很多问题。首先由于单个大功率芯片是采用高电流低电压的驱动方式，其工作在350mA的大电流下，如果电流扩展不均匀将导致严重的电流拥挤效应，大大降低LED的发光效率，并且大电流使控制电路的负载过大，造成电子零件因过热而产生损坏现象。在故障检测中时常发现单个高功率LED芯片本身并未故障，单模组中的电源控制电路却更容易出现问题。此外，单个大功率芯片还面临着封装难度高，工艺复杂，成本高等一系列问题。由此以低电流高电压驱动的集成芯片便成为了市场上解决大功率LED的重要方案之一。高压LED给LED照明带来成本和重量的有效降低，特别是大幅降低了对散热系统的设计要求，而且相对于点光源的单颗大功率芯片，集成式芯片由于是面光源，配光也相对容易。 　　高压LED芯片是通过一系列特定的工艺，将相互隔离的发光单元通过电极连接，集成在一块单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定的系统功能，实现元器件、电路和系统的完美结合。高压LED驱动电流一般为20mA，并且每个LED单元都为小功率的LED，因此流过LED的电流密度很小，从而会降低了droop效应的影响[2]。对于高压LED来说，它具有体积更小、性能更稳定、散热更好、封装成本更低等优势，在高端芯片领域得到了越来越多地实际应用。 　　目前高压芯片一般是在一个芯片上制备大量微晶粒单元，然后各个单元的N、P电极之间再通过在芯片上制备金属连线进行电性连接，若N、P电极采用串联结构即为高压直流LED芯片，若N、P电极采用并联后再串联的结构即为高压交流LED芯片。传统的高压LED芯片工艺包含：深隔离槽刻蚀、n-GaN台阶刻蚀、绝缘层淀积、ITO蒸发、电极蒸镀、金属连线蒸发。这种传统的正装结构缺点较多，比如：1）金属连线需要爬过深沟槽进行各微晶粒单元间的电气连接，因沟槽深度在4？滋m以上，金属连线必须连贯均匀电阻低且具有良好的欧姆接触，这就要求连线和电极都要有足够的宽度和厚度，避免金属爬越深沟槽时出现局部电流密度过高引起击穿和烧毁现象，然而连线和N电极越宽，损失的发光区就越大，LED发光效率就越低。2）P-GaN上镀一层ITO透明导电层会使电流分布更均匀，但透明导电层会对LED发出的光产生部分吸收，且P电极会遮挡住部分光，这就限制了LED芯片的出光效率。3）其衬底是蓝宝石，蓝宝石的热导率低，散热不佳。4）电极焊盘在出光面上吸光造成光损失。以上这些导致传统工艺的高压芯片散热差而且发光效率较低。 　　2 基于金属反射镜电极的高压LED芯片设计原理及探索 　　高压LED芯片发光效率越高其节能能力就越好，市场竞争力也就越强。如何进一步提升高压LED的发光效率，很大程度上取决于如何从芯片中用最少的功率提取最多的光。LED量子阱（MQW）的发光是全方位的，光在各个方向上随机辐射，使得只有少部分光从LED芯片正面出来，而大量的光是从芯片底面和侧面逸出，因此只要提高不需要出光的那一面对可见光波段的反射率，就能提高LED的光提取效率。因此具有金属反射镜电极的高压LED芯片，相比于传统正装结构的高压芯片，其发光效率更高。 　　基于金属反射镜电极的高压LED芯片，即将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面，电极区面朝封装杯底部进行贴装，最终减薄蓝宝石衬底，以衬底为出光面，电极焊盘这一侧不在是芯片的出光面。它有着较高的发光效率，具体分析如下：1）它的有源面即PN结在芯片底部，且PN电极上制备有较高反射率的金属反射镜将往下的光线引导向上，光不经过电极而直接从透明蓝宝石衬底射出，避开了P电极上透明导电层吸光和电极焊盘遮光的问题，提高了芯片亮度，提升了芯片的发光效率。2）它的出光路径是从蓝宝石射出到荧光粉和硅胶再到空气中，传统正装结构时出光路径是从GaN射出到荧光粉和硅胶再到空气中，蓝宝石的折射率为1.8，GaN的折射率约为2.4，荧光粉的折射率为1.7，硅胶的折射率约为1.5，空气的折射率为1.0，明显具有金属反射镜电极的高压芯片的各介质折射率比较接近，不容易产生全反射，大大减少了全反射损耗的光量。3）它的芯片结构设计不同，导致电流密度和电压的不同，对LED的光效有明显影响[1]。 　　此外，