无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量.pdfVIP

第35卷 第6期 华 中 科 技 大 学学报(自然科学版) V01．3SNo．6 2007年 Univ．ofSci．＆Tech．(NatureScienceEdition) 2006 6月 J． Huazhong Jun． 无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量 吴丰顺1’2 张伟目41 张金松1 吴懿平1’2 (1华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室； 2武汉光电国家实验室，湖北武汉430074) 摘要：针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究．采用四探针法分别监测了电 流密度为1．5×104A／cm2和2．2×104A／cm2时Sn3．5Ago．5Cu互连凸点上电压的变化，发现电流密度为 2．2×104 A／cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10％，分析了其微观结构的扫描电镜照 片，所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据．对无铅互连凸点的电迁移失效 过程和四探针测量法的测量误差进行了分析，提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施． 关键词：四探针测量法；电迁移；凸点下金属化层；倒装芯片 中图分类号：TGll3文献标识码：A 文章编号：1671—4512(2007)06一0085一04 measurementOf failure FOur-pointprobe electromigratiOn ’矿“F已咒gs^“以1·2Z矗n卯g肌ign，291Z五n咒g，i7250咒91’_仫yi户i行912 (1State ofPlastic SimulationandDieandMould WuhanNational KeyLaboratoryForming Technology；2 for ofScienceamd 430074。China) Laboratoryoptoelectronics，HuazhongUniversity Technology，Wuhan failureof caused isa tobedealt Abstract：Thelead—free flipchipbumps byelectromigrationchallenge within This usesthe measurementtotestthevariation highdensitypackaging．paper four—pointprobe of on solder The current was and voltageSn3．5AgO．5Cubumps． applied density1．5×104A／cm2 thecurrent is wasfoundthatthevar- 2．2×104A／cm2 2．2×104A／cm2，It respectively．Whendensity iationofthe electricalresistanceexceed themicrostructureofthe average 10％beyond，andanalyzed usefuldatathatthefailureoflead—free dueto