CVD化学与庇搿膜工艺2040315.ppt

化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel:3603234 Fax:3607627 mgym@ustc.edu.cn 中国科学技术大学 材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 CH.4. CVD淀积过程的热力学 4.3 封管系统 在气态输运一章里，我们导出了质量输运控制的过程速率表达式。其中，源区和淀积区(j)各组分i的平衡分压值 的求算，是热力学分析的任务。封管过程的热力学处理，仍根据前述的假定（前提）。 封管系统往往用于半导体的气相生长或金属的精制。卤素，其中碘是常用的输运剂，所以我们以GaAsI2系统为例介绍这类体系处理的一般方法。 GaAs- I2系统的热力学分析 GaAs-I2系统在650～700℃范围内主要气体分子是GaI、GaI3、I2、As4 (此处As2可以忽略)。按前述的假定(1)，源区和淀积区有如下化学平衡： GaAsI2系统的热力学分析(续) 按假定(3)气相中镓和砷的总原子数相等 以上j＝1和2，共有6个方程，还需要2个方程才能对8个分压值求解。这两个方程，一个是按假定(4)，源区与淀积区的总压相等 另一是输运剂守恒方程，即封进反应管内的总摩尔数 等于所有含碘分子的积分 GaAsI2系统的热力学分析(续) 在前述各条假定之下 近似地等于 GaAs0-I2系统的热力学分析(续) 图3-3表示在衬底温度为650℃，源区温度为700℃时，封入的碘量与砷化镓输运速率的关系。输运速率随着封入的碘的浓度增加而减小，这是由于管内总压升高，扩散被遏制的缘故。 GaAs- I2系统的热力学分析(续) 4．4 实验研究技术 化学气相淀积系统中所存在的气态物种及其相互作用往往十分复杂。因而，若仅靠热力学分析计算而不结合实验研究的结果，则计算可能十分复杂，得到的结果也很难有实际意义。从前两节的叙述可见，如果在热力学分析的同时，引入实测值，则不但简化了计算，也修正了理论模型，使结果更为可靠。另一方面，对于一个淀积系统的完全描述应该包括反应器空间中各个气相物种的浓度分布、温度剖面以及流体力学模型，而这一切只有基于实验测定才能得到。 过去一般仅根据尾气分析结果来进行某些推测，因为现场实验研究困难。但利用现代检测手段进行现场研究的尝试愈来愈多，已见报道的有如下几种技术： 4.4.1质谱 高温质谱、飞行时间质谱和四极质谱已用于化学气相淀积体系的研究。 图3-6是班恩（V.S. Ban）用来研究III-V族化合物开管气流淀积系统的示意图。该装置利用一根石英毛细管与反应器相联把气样抽取到质谱电离室中，气体随之膨胀(10-6托)、离化，经质谱计测量输出。 质谱技术可以定性、定量地检定反应器中的气态物种，它不仅能用于反应器空间分析，也有可能进行动态分析。其特点是灵敏快速。但是毛细管取样会影响反应室状况，也可能为淀积物所阻塞，从而产生误差。 图 3-6 质谱仪-化学气相淀积反应器系统示意图 4.4.2拉曼和荧光光谱 激光拉曼光谱是利用一束聚焦的激光入射在要研究的气态分子上，在垂直入射束的方向上收集来自取样区的散射光，经单色器分光偏转后，用光电倍增管检测，作为波长的函数输出。这是唯一不需抽出气体样品也不必在取样区引入机械探头的技术，从而可以得到非常接近于实际生长表面(约0.1毫米)的浓度数据。拉曼散射也是唯一的可以同时测定气相温度的技术。但其检测速率较慢，反应器壁有可能干扰测量，也难于发现新物种的存在，其检测灵敏度要比质谱法差一些。 荧光散射法是检测经激光照射后分子所发射出来的散射光，对散射截面大的分子有非常高的灵敏度，不过，它的散射谱宽，有可能遮盖了其它分子的谱线，其检测速率也较慢。此外，这两种技术都有一个缺点就是激光束可能会引起光化学反应。 4.4.3红外光谱 图3-7是西泽等 用红外光谱研究硅的气相外延机理的装置示意图。它的工作原理是利用检测气相分子对特定波长红外光的吸收强度来进行定性、定量分析。 4.4.3红外光谱法:图3-7(a)法用来测定这些气态物种的空间浓度分布，但只在高温下才存在的物种(如SiCl2)则无法测得。一般认为该技术的灵敏度比拉曼和荧光光谱法高，实际上也曾得到了一些有益的结果。  4.4.3红外光谱法:图3-7(b)法可以直接鉴定和定量测定高温气态物种； 多组分、多反应体系的平衡计算 ——最小自由能法（minimization of Gibbs Free Energy） m