MOSFET以及与MOSFET驱动.pptVIP

MOSFETIGBT在PDP上的应用 MOSFETIGBT概述 MOSFET结构图 MOSFET等效图 IGBT结构图 IGBT等效电路 NPT型IGBT特点 MOSFETIGBT输出特性 IGBT和MOSFET在硬开关的时候典型特性 导通过程的说明 MOSFET与IGBT的发展方向 MOSFET几个用法 单向导通 MOSFET几个用法 双向导通 MOSFET几个用法 电容隔离式使用 MOSFET几个用法 变压器隔离式使用 MOSFET几个用法 MGD 2110的内部结构 IR2110基本应用 IR2110自举原理说明 IR2110说明 IR2110优点： 价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开关。 耐压比较高，可以达到500伏。 电路形式简单，应用元件较少，电路板面积较小。 IR2110说明 IR2110驱动电路的缺点是： 浮动驱动电压由自举电容实现，要求电路的输出要有足够为零电位的时间，以给自举电容充电。 IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该电路不能用于输出可能为负电压的场合。 如果要求输出有较长时间为高，可能要采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电容长时间保持＋15V压差，使得开关管M1在该时间段内导通。 IR2110说明 采用IR2110的浮动通道来实现高压MOS浮动栅极驱动电路的适用条件： 输出电压没有负电压。 驱动电压波形中零电位出现不能相隔太久。