mos制造工矣胝.pptVIP

* * * * * * * P+/P外延片 P型单晶片 * P-Sub * N阱 P-Sub * P-Sub N阱 * P-Sub * P-Sub * P-Sub P-Sub P-Sub * P-Sub P-Sub P-Sub * P-Sub P-Sub * P-Sub * P-Sub P-Sub * P-Sub * P-Sub * 在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 P-Sub N-阱 * NMOS管和PMOS管的衬底电极都从上表面引出，由于P-Sub和N阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。 P-Sub N-阱 双阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4，P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻和腐蚀，形成有源区版。 （6）?N管场注入光刻，N管场注入。 * * （7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅 氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。 （8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成 多晶硅版。 （9）?NMOS