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期末複習 電子夜四技4A Question 1 試述離子佈植(ion implantation)與雜質擴散之主要異同？ Answer 1 離子佈植 雜質擴散 利用加速離子將雜質導入 利用高溫擴散將雜質 原子導入 可分別控制植入深度及濃度 無法個別控制濃度及 深度 具有單向性 無方向性，會有水平 擴散 Question 2 Ion Implantation 後為何要作Annealing 處理？為何RTA較傳統高溫爐優？ Answer 2 離子和晶格原子碰撞並且將晶格原子敲離開晶格的束縛，基片的佈植區變成非晶態結構。 Annealing 處理可從高溫獲得的熱能，幫助非晶態原子復原成單晶體結構。 在高溫下，退火的速度遠高於擴散， RTA可快速 (小於一分鐘)退火, 可得到較好的晶圓對晶圓的均勻性, 較佳的熱積存控制, 和摻雜物擴散的最小化。