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3.2 光电导探测器(PC-Photoconductive) 3.2.1 光敏电阻的工作原理和结构 3.2.2 光敏电阻的特性参数 3.2.3 光敏电阻的变换电路 3.2.4 光敏电阻的应用实例 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 光敏电阻 当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。 光敏电阻有以下优点： 光谱响应相当宽。根据光电导材料的不同，有的在可见光区灵敏，有的灵敏区可达红外区或远红外区。 所测的光强范围宽，即可对强光响应，也可对弱光响应。 无极性之分，使用方便，成本低，寿命长。 灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 光敏电阻的不足之处： 强光照射下线性较差，频率特性也较差。 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 M1的理解 如何提高M 二. 光敏电阻的基本结构 （a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。 （b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。 （c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。 三. 噪声特性 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合和低频噪声(或称1/f噪声)。 五.伏安特性 八. 响应时间和频率响应 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光电流IΦ随时间变化的规律为 光电导率和光电流变化的规律为 3.2.4 应用举例 一.典型光敏电阻 2.PbS光敏电阻 3.InSb光敏电阻 4. Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 2 火焰探测报警器 3 照相机电子快门 怎样检查光敏电阻的好坏 光敏电阻的好坏可用万用表Rx100电阻档，按图1连接好。当没有光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在1MΩ以上，当有较强光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在10kΩ以下。一般光敏电阻的电阻值不受光照时是受光照射时的100～1000倍。 硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线 1-黑暗放置3分钟后? 2-黑暗放置60分钟后3-黑暗放置24小时后 亮态前历效应 指光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象，其效应曲线如下图所示。一般，亮电阻由高照度状态变为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状态变为高照度状态时短。 硫化镉光敏电阻亮态前历效应曲线 七、温度特性 光敏电阻的温度特性很复杂，在一定的照度下，亮电阻的温度系数α有正有负 R1、R2分别为与温度T1、T2相对应的亮电阻。 温度对光谱响应也有影响。一般说，光谱特性主要决定于材料，材料的禁带宽度越窄则对长波越敏感，但禁带很窄时，半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加，使复合运动加快，灵敏度降低。因此，采取冷却灵敏面的办法来提高灵敏度往往是很有效的。 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。 图所示为典型CdS（实线）与CdSe（虚线）光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。以室温（25℃）的相对光电导率为100%，观测光敏电阻的相对光电导率随温度的变化关系，可以看出光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下降，光电响应特性随着温度的变化较大。 随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，可利用制冷器使光敏电阻的温度降低。 I / μA 100 150 200 -50 -10 30 50 10 -30 T / oC 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 λ/μm I/mA +20 oC -20 oC 硫化镉的光电流I和温度T的关系 一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。 EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关： 一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近； 如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。 Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系 光敏电阻的响应时间（又称为惯性）比其他光电器件要差（惯性要大）些，频率响应要低些，而且具有特殊性。当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻时，光生电子要有产生的过程，光生电导率Δσ要经过一定的时间才