晶体二极管-硬件和射频工程师.PDF

线性电子电路教案 第一章 晶体二极管 知识要点： 常用半导体器件的工作原理、特性、交/直流与极限参数。 晶体二极管的基本使用方法。 1.1 半导体物理基础知识 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体（Semiconductor ）的导电能力介于导体和绝缘体之间，电阻率在 -3 -9 10 ～10 Ω•cm 范围内。 典型的半导体有硅（Si ）和锗（Ge ）以及砷化镓（GaAs ）等。其中硅用的 最广泛。 1.1.1 本征半导体 原子是由带正电的原子核和分层围绕原子核运动的电子组成。处于最外层 的电子称为价电子 （Valence Electron ）把内层电子和原子核看作一个整体，成为 惯性核。硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们 分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 一、本征半导体 本征半导体(Intrinsic Semiconductor)——化学成分纯净的半导体。共价键 (Covalent Bond) 就是相邻两个原子中的价电子作为共用电子对而形成的相互作 用力。硅和锗中的没一个原子均和相邻的四个原子组成四个共价键。共价键平面 示意图见图1-1-1。 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 图1-1-1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 二、本征激发和复合 当导体处于热力学温度0 K 时，导体中没有自由电子（Free Electron ）。当 温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束 缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电 中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电 1 线性电子电路教案 性的这个空位为空穴。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现 的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如 图1-1-2 所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 图1-1-2 本征激发和复合的过程 三、热平衡载流子浓度 当温度一定时这激发和复合在某一热平衡载流子浓度值（Intrinsic Concentration ）上达到平衡。平均载流子浓度ni 为 3 −Ego n AT 2 e 2kT i 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显 著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入五价元素的杂质（鳞、锑或砷） 可形成N 型半导体，掺入三价元素的杂质（如硼，镓、铟或铝）可形成P 型半 导体。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体（Doped Semiconductor ）。 一、N 型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形 成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N 型半导体中自由电子是多数载流子（Majority Carries ）,它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子(Minority Carriers), 由热激发形成。 五价杂质原子称为施主(Donor)杂质。它是受晶格束缚的正离子。 型半导体的结构示意图 2 线性电子电路教案 二、P 型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中 留下