氧化物导体-半导体超晶格制作与特性研究-科技部工程科技推展中心.PDF

行 類 行 年年 行 立料 參理 理 林劉 理 年 國科會專題研究計畫 成果報告撰寫格式 國科會專題研究計畫 成果報告撰寫格式 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 氧化物導體 -半導體超晶格製作與特性研究 計畫類別 ：□個別型計畫 █整合型計畫 計畫編號 ：NSC 95-2221-E-007-091 執行期間 ： 95年 08月 01日至 96 年 07月 31日 計畫主持人 ：甘炯耀 共同主持人： 計畫參與人員 ：熊昌鉑 、楊詩偉 、林孟賢、蔡依婷、鄭凱文 、劉子正、楊珮甄 、 周仁鈞 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交 ) ：□精簡報告 █完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式 ：除產學合作研究計畫 、提升產業技術及人才培育研究計畫 、列管計畫 及下列情形者外 ，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 I 中 文摘要 本研究 主要是利用 RuO氧化物具有異於氧化物的導電性 ，以及選用與其結 2 構上匹配的 TiO 絕緣氧化物 ，藉由超晶格的製作 ，探討其二維結構性質 。 2 其中一個實驗是嘗試 直接將 TiO 鍍覆在 RuO 單晶一維奈米柱上 ，ＴＥＭ 2 2 結果顯示 TiO 是以磊晶 （Epitaxy ）的方式鍍覆在 RuO 奈米柱上形成一 核－殼 2 2 結構 ，並且由EDS 成分分析，證實 RuO 與TiO的確在低溫下為互不相溶氧化 2 2 物。此外，奈米柱發現到有彎曲現象，推測為兩者間熱膨脹係數的差異所致。這 一部分的結果已發表在Applied Physics Letters 。另又與他人合作檢測該結構之 光、電特性 ，結果最近也發表在 Advance Materials 。 進一步的實驗是嘗試 將TiO2 與RuO2 以最佳條件下鍍覆在Sapphire （0001 ） 單晶基板上 。結果發現 ，TiO 與RuO都呈現幾十奈米大小的橢圓晶粒 ，造成表 2 2 面粗糙度不佳 ，而無法在 Sapphire 上進行超晶格薄膜鍍製 。即使選用看似與 RuO2 匹配性較佳的MgO （100）單晶基板上 ，在進行每層約 2.5nm 大小的超晶 格薄膜鍍製後 ，也呈現膜層間界面模糊不清的情況 顯示， RuO 與TiO 超晶格薄