等离子体辅与助CVD技术.pptVIP

薄膜材料制备技术Thin Film Materials 北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 4144 E-mail: wztang@ 课件下载网址： wztang_teaching@ 下 载 密 码： 123456 第六讲 薄膜材料制备的等离子体辅助CVD方法 Preparation of thin films by plasma enhanced CVD （PECVD) processes 提 要 等离子体的一般性质 等离子体辅助CVD的机理和特点 等离子体辅助的CVD方法 等离子体辅助化学气相沉积（PECVD) PECVD 的主要优点 薄膜 PECVD 低温沉积的主要优点 PECVD方法存在的问题 PECVD薄膜沉积均匀性的条件 PECVD薄膜沉积过程的数学模拟 第六讲 小结 薄膜的CVD过程可以由等离子体辅助来实现 PECVD的主要特点是它可以有效降低CVD过程的温度 各种辉光、甚至弧光放电过程都可以被用于PECVD 直流、射频、微波激励手段都可被用于PECVD 基本概念复习 等离子体中电子所涉