背金工艺介与绍.pptVIP

背金工艺介绍 目录 1.背金工艺简介 2.减薄原理 3.硅腐蚀原理 4.蒸发前清洗 5.蒸发原理 背金工艺简介 背金工艺是一种在wafer背面淀积金属的工艺。目前背金蒸发使用的金属材料为钛（TI）、镍（NI）、银（AG）三种,蒸镀的顺序分别是钛层（1KA）、镍层(2KA)、银层(10KA)。 TI和SI能很好的结合，但是电阻较高，Ti层厚度最薄。Ni作为中间黏合层，不能太薄，最外一层镀AG层保护Ni层。 工艺步骤为：TAPE→GRINDING → Si-Etch → DETAPE → EG-BOE →BACK-METAL。 TAPE 将硅片正面粘贴一层保护膜。 加工完产品后，需要逐片检查贴膜质量，要求整张膜下面都没有气泡，贴膜在硅片表面的颜色要均匀、一致，硅片边缘的膜要切割整齐、光滑，膜的边缘和硅片边缘一致，上述任何一项不满足，都要撕掉膜，重新贴膜。 减薄原理 减薄方法 减薄程序 减薄异常 硅腐蚀原理 硅腐蚀的作用 硅腐蚀的作用 硅腐蚀异常 蒸发前清洗 Wafer背面清洁度对金属和硅的结合度有很大的影响，所以蒸发前清洗是非常重要的一步。此步可以清除wafer 表面自然氧化层。 EG-BOE异常 在高温材料的蒸发上，我們通常采用电子束蒸发（Electron Beam Evaporation，简称EBE）來进行的，EBE 是利用电子束（Electron Beam）