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三元氧化物记忆薄膜于电阻式记忆体之特性研究.pdfVIP

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  • 2018-08-19 发布于天津
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三元氧化物记忆薄膜于电阻式记忆体之特性研究.pdf

    三元氧化物记忆薄膜于电阻式记忆体之特性研究

    行 精 類 行 年年 行 立 劉益 參理 理 年 三元氧化物記憶薄膜於電阻式記憶體之特性研究 “Investigation of ternary oxide memory thin film for RRAM” 計畫編號： NSC95-2218-E-151-004 執行期間：95 年 10月 1日 至 96 年 7月 31日 主持人：劉志益 國立高雄應用科技大學電子工程系助理教

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