版图设己推与工艺.ppt

Dr.Jian Fang 版图设计与工艺 方健 微电子与固体电子学院 2005年7月 内容提纲 微电子技术发展动态 CMOS工艺和版图 CMOS设计规则 版图验证 布局布线算法 1.微电子技术发展动态 器件的特征尺寸不断缩小 自1965年提出摩尔定律近40年来，集成电路持续地按此定律增长，即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。每2-3年制造技术更新一代，这是基于栅长不断缩小的结果，器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则，促进其它工艺参数的提高。预计未来10-15年摩尔定律仍将是集成电路发展所遵循的一条定律，按此规律，在21世纪初集成电路的基本单元CMOS器件将从亚半微米进入纳米时代(即器件的栅长小于100nm，2010年后将小于50nm)。 系统集成芯片(SOC) 沿着上述持续缩小尺寸途径发展、随着集成方法学和微细加工技术的持续成熟，应用领域的不断扩大，因此，不同类型的集成电路相互镶嵌，形成了各种嵌入式系统(Embedded System)和片上系统(System on Chip即SOC)技术，在实现从集成电路(IC)到系统集成(IS)过渡中，“硅知识产权(IP)模块”和“软、硬件协同设计”技术兴起，可以将一个电子子系统或整个电子系统“集成”在一个硅芯片上，完成信息加工与处理的功能。 集成系统芯片(SOC)，主要有三个关键的支持技术： 软