3晶体的电光效应与电光调制实验报告.docxVIP

晶体的电光效应与光电调制实验目的：研究铌酸锂晶体的横向电光效应，观察锥光干涉图样，测量半波电压；学习电光调制的原理和试验方法，掌握调试技能；了解利用电光调制模拟音频通信的一种实验方法。实验仪器：晶体电光调制电源调制器接收放大器实验原理简述：某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将随着外加电场的变化而变化，这种现象称为光电效应。晶体外加电场后，如果折射率变化与外加电场的一次方成正比，则称为一次电光效应，如果折射率变化与外加电场的二次方成正比，则称为二次电光效应。晶体的一次光电效应分为纵向电光效应和横向电光效应电光调制原理横向光电调制如图入射光经过起偏器后变为振动方向平行于x轴的线偏振光，他在晶体感应轴x’,y’上的投影的振幅和相位均相等，分别设为用复振幅表示，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为所以入射光的强度为当光通过长为l的电光晶体后，x’,y’两分量之间产生相位差通过检偏器出射的光，是这两个分量在y轴上的投影之和其对应的输出光强It可写为由以上可知光强透过率为相位差的表达式当相位差为π时由以上各式可将透过率改写为可以看出改变V0或Vm，输出特性将相应变化。改变直流电压对输出特性的影响把V0=Vπ/2带入上式可得做近似计算得即T∝Vmsinwt时，调制器的输出波形和调制信号的波形频率相同，即线性调制如果Vm＞Vπ，不满足小信号调制的要求，所以不能近似计算，此时展开为贝塞尔函数，即输