SI1034X-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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2017-10-16 发布于浙江
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Si1034X Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (mA) Definition 5 at VGS = 4.5 V 200 • TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated 7 at VGS = 2.5 V 175 • Low-Side Switching 20 9 at VGS = 1.8 V 150 • Low On-Resistance: 5  10 at VGS = 1.5 V 50 • Low Threshold: 0.9 V (typ.) • Fast Switching Speed: 35 ns (typ.) • 1.5 V Operation • Gate-Source ESD Protected: 2000 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-89 BENEFITS S1 1 6 D1 • Ease in Driving Switches