SI5920DC-T1-E3;SI5920DC-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-10-16 发布于浙江
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SI5920DC-T1-E3;SI5920DC-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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Si5920DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 V (V) R (Ω) I (A) Q (Typ.) DS DS(on) D g Definition 0.032 at VGS = 4.5 V 4a • TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated 0.036 at VGS = 2.5 V 4a • Ultra Low On-Resistance in Compact, 8 7.3 nC ® 0.045 at VGS = 1.8 V 4a Thermally Enhanced ChipFET Package 0.054 at VGS = 1.5 V 4a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS 1206-8 ChipFET® (Dual) • Load Switch for Portable Applications - Guaranteed Operation at VGS = 1.5 V Critical for 1 Optimized Design and Space Savings S1