数字电子技术基础 ch7-2.ppt

* 7.2 TTL逻辑门电路 7.2.1 BJT的开关特性 7.2.2 TTL反相器 7.2.3 TTL与非门和或非门 7.2.4 TTL门电路的输入和输出特性 7.2.5 TTL集电极开路输出和三态输出门电路 *7.2.6 TTL系列门电路特性参数比较 7.2 .1 BJT的开关特性 半导体三极管的结构有两种类型：NPN型和PNP型。 1. BJT的结构 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极 发射极 集电极，用C或c 表示（Collector） 发射区 集电区 基区 晶体管符号 1. BJT的结构 7.2 .1 BJT的开关特性 2. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 基区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子 7.2 .1 BJT的开关特性 3. BJT的开关工作状态及等效电路 饱和导通 +5V 0V 截止 当?i =0V时 当?i =5V时 BJT相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。 截止时相当于开关“断开”，而饱和导通相当于开关“闭合”。 饱和状态等效电路 截止状态等效电路 7.2 .1 BJT的开关特性 4. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相互 转换需要一定的时间才能完成。 7.2 .1 BJT的开关特性 反相器用BJT的开关电路实现 CL的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压?O波形的上升时间和下降时间，导致基本的BJT反相器的开关速度不高。故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 0 7.2.2 TTL反相器 管子基区内电荷的存入和 消散需要一定的时间，因此开 关速度受到限制。 若带电容负载 1 TTL反相器的产生 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 7.2.2 TTL反相器 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 1. TTL反相器的结构和工作原理 （1）电路结构 （2）TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） a. 当输入为低电平（?I = 0.2 V） 0.9V 0.2V T1 导通 截止 导通 导通 截止 导通 低电平 T4 D4 T3 T2 T1 输入 高电平 输出 T2 、 T3截止， T4 、D导通 1. TTL反相器的结构和工作原理 b. 当输入为高电平（?I = 3.6 V） 3.6V 4.3V 2.1V 1.4V 0.2V 1V 0.7V 0 1 1 0 输出L 输入A 逻辑真值表 逻辑表达式 L = A 饱和 截止 T4 低电平 截止 截止 饱和 倒置工作 高电平 高电平 导通 导通 截止 饱和 低电平 输出 D4 T3 T2 T1 输入 倒置放大 饱和 饱和 截止 （2） TTL反相器的工作原理 1. TTL反相器的结构和工作原理 采用输入级以提高工作速度 当TTL反相器?I由3.6V变0.2V的瞬间。 0.9V 1.4V T2、T3管的状态变化滞后于T1管，仍处于导通状态。 T1管Je正偏、Jc反偏， T1工作在放大状态。 T1管射极电流（1+?1 ） iB1很快地从T2的基区抽走多余的存储电荷,从而加速了输出由低电平到高电平的转换。 0.2V 1. TTL反相器的结构和工作原理 （2）TTL反相器的工作原理 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 3.6V 2.1V 1.4V 0.2V 当?O=0.2V时 当输出为低电平时，T4截止， T3饱和导通，其饱和电流全 部用来驱动负载。 a)带负载能力 （2）TTL反相器的工作原理 1. TTL反相器的结构和工作原理 当?O=3.6V时 ?O由低到高电平跳变的瞬间，CL充电，其时间常数很小使输出波形上升沿陡直。而当?O由高变低后， CL很快放电，输出波形的下降沿也很好。 T3截止，T4组成的电压跟随器的输出电阻很小，输出高电平稳定，带负载能力也较强。 输出端接负载电容CL时， 0.9V 0.2V 3.6V b)输出级对提高开关速度的作用 CL 采用推拉式输