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18- 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 上 讲 回 顾 1. JFET的结构和工作原理 2 JFET的特性曲线及参数 (1).N沟道JFET的结构 (2).N沟道JFET的工作原理 (1). 输出特性曲线 (2). 转移特性曲线 (3).主要参数 * 1.JFET的小信号模型 由JFET输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电阻,是输出特性曲线静态工作点处的斜率的倒数。 其中： 低频跨导,是转移特性曲线静态工作点处的斜率的倒数。 变化量 g d s vGS vdS iD g s gmvgs vgs + - rds + - vds id d 一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管JFET * (1).自偏压电路 静态分析： 因IG=0,故 VGS=-VS=-IDR ID 由自身形成栅源反偏电压 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管JFET 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 * 交流通路： 动态分析： 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管JFET 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 (1).自偏压电路 * 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管JFET 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 (1).自偏压电路 动态分析： Rg Rd Rs Cs C1 C2 RL vi v0 vG iD vS + _ gmvgs id g s d vi v0 + _ vgs Rg Rd RL RL ` * 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管JFET 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 (1).自偏压电路 动态分析： + _ gmvgs id g s d vi v0 + _ vgs Rg Rd RL RL ` ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 * (2).分压式自偏压电路 静态分析 ID Vg VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－ID(R+Rd ) 预使NJFET工作于放大区，需满足： 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 * 例.设Rg3=10MΩ, Rg1=2MΩ, Rg2=47KΩ, Rd=30KΩ，R=2KΩ, VP=-1V，IDSS=0.5mA，确定Q点。 解. 假若JFET工作于放大区，则 解得： 因IG=0，所以 * 交流分析 + g s d (2).分压式自偏压电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 * 交流分析 + g s d (2).分压式自偏压电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 vs vgs gmvgs v0 + - RL ` vi * (2).分压式自偏压电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 vs vgs gmvgs v0 + - RL ` vi ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 * 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 (3).共漏极放大电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 * 交流分析 + vi vgs v0 ①.电压放大倍数 gmvgs vs vi (3).共漏极放大电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 * 交流分析 + vi vgs v0 ①.电压放大倍数 gmvgs vs vi (3).共漏极放大电路 5.3 结型场效应管JFET 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 用小信号模型分析JFET放大电路 ③.输出电阻 ②.输入电阻 * 5.4 砷化镓金属－半导体FET（自学） * 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 1. 各种FET的特性比较 * 5.