《模拟电子技术基础》(第四版)课后习题答案【童诗白,华成英-高等教育出版社】.docxVIP

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）× 二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、BI =VBB ?UBERb=26μAIC =EIB =2.6mAUCE =VCC ?ICRC =2VUO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以V?UIC = CCCESRc=2.86mAI==ICBE=28.6μ AbR =VBB ?UBEIB≈45.4k?七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。1.3ui和uo的波形如图所示。11.4ui和uo的波形如图所示。ui/V10Otuo/V10OtAdministratorD:201107131852077/13 18:52:07--------------------------------