精选6-MOSFET及相关器件.pptVIP

CMOS(complementary MOS)由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成．由于具有低功率损耗以及较佳的噪声抑制能力，CMOS逻辑为目前集成电路设计的最常用技术．由于低功率损耗的需求，目前仅有CMOS技术被使用于ULSI的制造． 如图所示为CMOS反相器的结构，其中p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管。p与n沟道晶体管的栅极连接在一起，并作为此反相器的输入端，而它们漏极亦连接在一起，并作为反相器的输出端．n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则连接至电源供应端(VDD) 。 CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) CMOS反相器 当输入电压为低电压时(即Vin=0，VGSn=0＜VTn)，n沟道MOSFET关闭，然而由于|VGSp|≈VDD|VTp|，(VGSp与VTp为负值)，所以p沟道MOSFET为导通态．因此，输出端通过p沟道MOSFET充电至VDD。 当输入电压逐渐升高，使栅极电压等于VDD时，因为VGSn=VDDVTn，所以n沟道MOSFET将被导通，而由于|VGSp|≈0|VTp|，所以p沟道MOSFET将被关闭．因此输出端将经n沟道MOSFET放电至零电势． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 如图所示为CMOS反相器