第二章节半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

2.1 Si、 Ge中的杂质能级 重点和难点 施主杂质、施主能级、n型半导体； 受主杂质、受主能级、p型半导体； 施主杂质和受主杂质的电离能; 杂质的补偿作用； 浅能级杂质和深能级杂质 二、N 型半导体： 本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自 由电子浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（电子半导体）。 一、受主杂质： 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。 把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA 2.当NA 》ND 时 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级后，受主能级上还有NA – ND空穴，它们可以跃迁入价带成为导电空穴，所以p= NA – ND ,半导体是p型的。 不容易电离，对载流子浓度影响不大 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低（在第五章详细讨论）。 深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 等电子杂质----是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。 如：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bi 由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。 这个带电中心就称为等电子陷阱。 同族元素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小。等电子杂质电负性大于基质晶体原子的电负性时，取代后，它便能俘获电子成为负电中心。反之，它能俘获空穴成为正电中心。 热缺陷的数目随温度升高而增热 缺陷中以肖特基缺陷为主（即原子空位为主）。原因：三种点缺陷中形成肖特基缺陷需要的能量最小 淬火后可以“冻结”高温下形成的缺陷。 退火可以消除大部分缺陷。半导体器件生产工艺中，经高温加工（如扩散）后的晶片一般都需要进行退火处理。离子注入形成的缺陷也用退火来消除。 缺陷处晶格畸变，周期性势场被破坏，致使在禁带中产生能级。 热缺陷能级大多为深能级，在半导体中起复合中心作用，使非平衡载流子浓度和寿命降低。 空位缺陷有利于杂质扩散 对载流子有散射作用，使载流子迁移率和寿命降低。 位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 位错线处晶格变形，导致能带变形 位错线影响杂质分布均匀性 位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。（第四章） 影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。（第五章） 说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？ 纯锗、硅中掺入Ⅲ族或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电性能有很大的改变？杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？ 把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？ 电子间的库仑排斥作用: 使金从价带接受第二个电子所需要的电离能比接受第一个电子时的大; 接受第三个电子时的电离能比接受第二个电子时的大。 ∴ EA3 ＞EA2＞EA1。EA1离价带顶相对近一些，但是比III族杂质引入的浅能级还是深得多，EA2更深， EA3就几乎靠近导带底了。于是金在锗中一共有Au+ Au0 Au- ， Au= ， Au≡五种荷电状态，相应地存在着ED EA1 EA2 EA3 四个孤立能级，它们都是深能级。 EC EV ED EA1 EI EA2 EA3 0.20 0.15 0.04 0.04 也可以说此分析方法说明其它一些在 硅、锗中形成深能级的杂质 有些杂质的能级没有完全测到，如硅中的金杂质，只测到一个施主能级和—个受主能级，这可能是因为这些受主态或施主态的电离能大于禁带宽度，相应的能级进入导带或价带，所以在禁带中就测不到它们。 现在常用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量杂质的深能级。 深能级杂质，一般情况下含量极少． 　　能级较深，它们对半导体中的导电电子浓度、导电空穴浓度(统称为载流子浓度)和导电类型的影响没有浅能级杂质显著，但对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，这些杂质也称为复合中心。 金是一种很典型的复合中心，在制造高速开关器件时，常有意地渗入金以提高器