8 区域 熔 融2020.pptVIP

区域熔融 * * 区域熔融 根据液固平衡原理，利用熔融-固化过程来进行除去杂质的方法称为区域熔融，可制得纯度达99.999%的金属、合金、金属间化合物、半导体材料，以及无机、有机化合物。 利用区域熔融技术还可以分离某些混合物，浓缩稀溶液中的某些物质。 基本原理 样品成细杆状，长度0.6-3m或更长，封闭于管内，水平或垂直悬浮，外加热环套，环的温度保持在固体熔点以上几度。环以极慢的速度沿杆移动（1-3m/h），形成窄的熔融区沿杆前进。 区域熔融 1-固体 2-加热器 3-熔区 4-未熔固体 易溶于液相难溶于固相的杂质跟随熔融区前进，难溶于液相的留在后面。 如杂质存在降低主材料的熔点，则熔融区前移时更多的杂质浓集在熔融区。 环操作可以循环，或采用多个环，称区域精制 熔融区沿杆前后移动，可使杂质均匀分布于材料中，称为区域调平。 区域熔融状态平衡 （a）溶质使溶剂凝固点降低（b）溶质使溶剂凝固点升高 K0=CS/CL，杂质的分布由K决定，K0与1相差越大，杂质的富集效率越高，K0=1,无法富集。 区域熔融状态平衡 K0=CS/CL（分配平衡时的分布系数），f为固体生长速率，?为扩散层厚度，D为杂质在液体中的扩散系数。则随着f减小，?减小（搅拌），K从1变到K0。 K1, CLCS, 杂质浓集在熔融区，被富集到样品末端； K1, CLCS, 杂质浓集在凝固区，最后被富集到样品的起端。 多次熔融后，杂质分布达到稳态。 x离起始端距离，l熔融区长度 区域提纯技术参数 熔区长度：小能较好分离 多重熔区间距：每次通过时间少 熔区通过次数：可用小的熔区长度获得最好的分离 熔区移动速率：大则减小每次通过熔区的时间，但分离效率下降 扩散层厚度：搅动或震动减小扩散层厚度，有利于分离 精制铝99.9995%的条件：熔区移动速度2.5cm/h，熔区通过30次，熔区长度与材料长度比为0.1 区域提纯技术方法 有盛料器： 盛料器：不污染熔体，塑料，金属、石英、难熔氧化物（氧化铝、氧化锆等），使用温度范围不同 加热方式：电阻加热（小于500℃）；电导加热和冷却（ -20-80 ℃）；金属和半导体材料感应加热，可起搅拌作用；放电，难熔化金属及合金和非导体，W, Mo, Re, Ta, Nb, U, Th, Zr等的精制；辐射加热，适合于低熔点有机物等材料；流体加热 搅拌方法：感应电流搅动；机械搅动；电磁搅动；抽送熔区液体搅动 无盛料器：某些材料熔化时起化学反应或溶剂作用，导致不能在盛料器内提纯 漂浮区熔法：熔区在两个同一轴线的垂直固体杆之间，靠熔体本身的表面张力保持在原处 感应电流支承法：借助于感应电流和施感电流之间的排斥力发生上浮作用 磁悬浮区熔法：法拉第原理，通直流电的杆状材料（导体）与正交的磁场之间产生上升力 液体支承区熔法：液体支承熔区，避免固体盛料区的污染，支承液体与熔化固体之间不会混合，密度比熔化物大，如在一个高熔点的熔盐（CaF2）表面支持一个小的硅球 区域提纯的应用 单质：元素液态时惰性，在盛料器内区熔，铝、锑、铋、锡等；元素具有1200℃以上的高熔点，熔化后化学活性强，但其表面张力随着熔点升高增加，漂浮区熔法，钼、铌、硅、锆、铼等； 半导体和金属互化合物：半导体GaAs, GaP, CdTe, HgTe, CdSb, ZnSb, Bi2Te, ZnS, ZnSe, Mg2Sn, ZnAs2, CdIn2Te4, AgSbTe2, PbBiSe2, As2SeTe2; 金属互化合物AuSb2, AuSn, AgGa2, AuAl2, AuIn2, CoSi2, FeSi, PtSn; 超导体V3Si, Nb3Pt, V3Al