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模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.7V,锗管0.2V。
*开启电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
分析方法------ ----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路或压降0.7V);
若 V阳 V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)
其中ICEO是穿透电流(越小越好),ICBO是集电极反向电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用UCES表示)
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
饱和区---发射结正偏,集电结正偏
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
根据电位如何判断管子是否处于放大状态:
对NPN管而言,放大时VC > VB > VE
对PNP管而言,放大时VC < VB <VE
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
5.三极管的极限参数
ICM 最大集电极电流
PCM 最大的集电极耗散功率
U(BR)CEO C-E间的击穿电压
三. 低频小信号等效模型
hie---输出端交流短路时的输入电阻,
常用rbe表示;
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的
动态情况,不能用于静态分析。
四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由 确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
2)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---提高Q。
(2) 饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC ,降低Q点。
六. 阻容耦合共射放大电路的等效电路法
静态分析
2.放大电路的动态分析
* 放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
稳定工作点共射放大电路的等效电路法
1.静态分析
2.动态分析
*有旁路电容
* 无旁路电容
八. 共集电极
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