国立西螺农工电子学BJT直流偏压.DOC

國立西螺農工 電子學 第五章 BJT直流偏壓 命題 教師 班級 電機、綜高 座號 姓名 ( A ) 1. 如圖所示電路，VBE=0.7V，β=100，則VCE= (A) 5.35V　 (B) 4.56V　 (C) 6.21V　 (D) 7.36V ，，，電晶體在工作區又　 ( B ) 2. 如圖所示電路 ，假設電晶體的β=100，RC=1kΩ，VBE=0.7V，倘若工作於A類放大器，則其RB值約為 (A) 220kΩ　 (B) 188kΩ　 (C) 89kΩ　 (D) 166kΩ A類放大器 (1)(2)，(3)，　 ( D ) 3. 圖之電路中，負載線方程式為 (A) IC=βIB+(1+β)ICO　 (B) IC=-IE+ICO　 (C) IB+IE+IC=0　 (D) 、、　 ( A ) 4. 續上題電路中，設VBB=5V，VCC=10V，RB=50k，RL=4k電晶體為矽質，其β值為100，則集極電流為 (A) 2.45mA　 (B) 4.5mA　 (C) 6.4mA　 (D) 7.2mA ，，，，　 ( D ) 5. 續上題電路中，設VBB=5V，VCC=10V，RB=200k，RL=3k電晶體為矽質，其β值為100，則集極與基極間之電位差為 (A) -4.3V　 (B) -2.45V　 (C) 1.38V　 (D) 2.85V ，，， ，　又　　 ( A ) 6. 續上題電路中，其穩定因數為 (A) 101　 (B) 100　 (C) 51　 (D) 50 　 ( A ) 7. 圖中的電晶電路在主動操作區工作，測量到的IC電流約為 (A) 0.5mA　 (B) 1mA　 (C) 5mA　 (D) 10mA ，(工作區)　 ( A ) 8. 如圖所示，若電晶體的β值為50，而RB電阻選用100kΩ，則該電晶體的消耗功率為 (A) 0.1　 (B) 0.2　 (C) 1　 (D) 2，，， ，　=0.1W　 ( A ) 9. 在圖電路中，若β=100，欲使VCE=10V，則RB之值約為 (A) 200kΩ　 (B) 400kΩ　 (C) 600kΩ　 (D) 1MΩ 　　又　　 ( A )10. 計算圖中的IC與VC　  (A) IC=2.40mA，VC=15.42V　 (B) IC=9mA，VC=0.2V　 (C) IC=0mA，VC=20V　 (D) IC=3.76mA，VC=-9.6V ，，， ，，　 ( D )11. 圖之放大器電路，電晶體之β=100，若操作點上IC=10mA，VBE=0.5V，則RB值應為　 (A) 35kΩ　 (B) 65kΩ　 (C) 115kΩ　 (D) 145kΩ (1)電容對直流斷路　和斷路　、、均無效(2)　又 　 ( D )12. 如圖所示，若電晶體的β值為50，則RB電阻應選用多少，才能使電晶體工作於飽和區 (A) 100kΩ　 (B) 80kΩ　 (C) 60kΩ　 (D) 40kΩ 飽和條件：，，故選40kΩ　 ( D )13. 圖為共射極放大電路，β=100，下列敘述何者錯誤 (A) IC=3mA　 (B) IB=0.03mA　 (C) VC=6V　 (D) 本電路工作於飽和區 ，，， ，，　 ( C )14. 如圖所示電路中，RB=200kΩ，RC=1kΩ，VCC=15V，矽質電晶體β=100，求IC=　 (A) 715mA　 (B) 71.5mA　 (C) 7.15mA　 (D) 0.715mA ，，， 　 ( C )15. 同上題電路，若電晶體的β=300，試求VCE= (A) 6.45V　 (B) -6.45V　 (C) 0.2V　 (D) -0.2V ， ，　 ( C )16. 如圖矽製電晶體的β=200，順偏時VBE=0.7V，求集極對地的電壓VC≒ (A) 9.3V　 (B) 8V　 (C) 7V　 (D) 6V ，，， ，，　 ( C )17. 欲使圖中之電路工作於VCE=9V（VBE忽略不計），則RB應為 (A) 330kΩ　 (B) 500kΩ　 (C) 650kΩ　 (D) 5MΩ 　()，　又 ()　 ( A )18. 如圖所示，當電晶體β=100時，(1+β)RERB，IC電流等於 (A) 0.5mA　 (B) 1mA　 (C) 5mA　 (D) 10mA (1)有 [()] 代表可用近似解(2)作戴維寧等效電路：(3)(4)又　　 ( C )19. 同上題，圖中電晶體C、E兩端電壓VCE為 (A) 5V　 (B) 10V　 (C) 15V　 (D) 20V ()，　 (