晶体的生长模型与面角守恒定律.PDF

第二章 晶体的生长模型与面角守 恒定律 Ø 晶体生长的途径 Ø 晶体的层生长与螺旋生长 Ø 晶面发育的布拉维法则 Ø 面角守恒定律 Ø 影响晶体生长的外部因素 Ø 人工合成晶体简介 一、晶体生长的途径 某些气体处于过饱和蒸汽压或过冷却温度时，可直接转 变成晶体。如火山口喷气凝华形成 自然硫、碘或氯化钠晶体； 雪花、雾松。 一、晶体生长的途径 u 从熔体中结晶：温度降低到熔点 u 从溶液中结晶：条件是溶液达到过饱和 l改变温度 （多数情况是降低温度） l水分蒸发使得溶液过饱和：盐湖 l通过化学反应生成难溶物质而结晶出晶体 一、晶体生长的途径 (1) 由固态非晶质结晶 结晶在同一温压条件下，某物质的非晶质体与他的结晶相 相比，非晶质体具有更大的自由能，能自发的向自由能较小的 晶质转变。如火山玻璃脱玻化后形成的细小长石和石英等。 (2)同质多像转变 由一种结晶相转变为另一种结晶相。如酸性和中酸性火山岩 中的β-石英 （573℃)转变为α-石英(573℃)的相转变。 (3)固溶体分解 在一定温度下固熔体可以分离成几种矿物，例如闪锌矿 ZnS和黄铜矿CuFeS在高温条件下组成均一的固熔体，而在 低温条件下分离成两种矿物。 （4 ）矿物颗粒由小晶体生长成粗粒的矿物 石英细砂岩重结晶变为石英岩 灰岩重结晶变为大理岩 （5）变晶 矿物在定向的压力方向上溶解，而在垂直压力的方向上 再结晶，形成一向或二向延长的变质矿物。 阳起石片岩 二、晶体的生长理论 晶核形成之后，围绕晶核的生长，实际上是溶液或熔 体中的其它质点，按照各 自构造规律不断地堆积在晶核 上，使晶核逐渐长成晶体的过程。 二、晶体的生长理论 二、晶体的生长理论 因此，最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位， 最不容易生长的位置是平坦面。 这样，最理想的晶体生长方式就是: 先在三面凹角上生长成一行，以至于三面凹角消失，再 在两面凹角处生长一个质点，以形成三面凹角，再生长一行， 重复下去，一层一层往外生长——层生长理论。 但是，实际晶体生长不 可能达到这么理想的情况 ，也可能一层还没有完全 长满，另一层又开始生长 了，这叫阶梯状生长，最 后可在晶面上留下生长层 纹或生长阶梯。 阶梯状生长是属于层生 黄铁矿表面的阶梯状生长层 长理论范畴的。 石英的生长纹 二、晶体的生长理论 但是，层生长理论有一个缺陷：当将这一界面上的所有最 佳生长位置都生长完后，如果晶体还要继续生长，就必须在这 一平坦面上先生长一个质点，由此来提供最佳生长位置。这个 先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核，形成这个二维 核需要较大的过饱和度，但许多晶体在过饱和度很低的条件下 也能生长，为了解决这一理论模型与实验的差异，弗兰克 (Frank)于1949年提出了螺旋位错生长机制。 二、晶体的生长理论 该模型认为晶面上存在 螺旋位错露头点可以作为晶 体生长的台阶源，可以对平 坦面的生长起着催化作用， 这种台阶源永不消失，因此 不需要形成二维核，这样便 成功地解释了晶体在很低过 饱和度下仍能生长这一现象。 SiC晶体表面的生长螺旋 三、晶面发育的布拉维法则 晶体上的实际晶面往往平行于格子构造中面网 密度大的面网 。 面网密度：AB＞CD＞BC；对质点的吸引力：BC＞CD ＞AB 面网密度最小的BC面向外推移最快，DC次之，AB最慢。BC面逐渐减小至尖 灭。 晶体生长与面网密度有关，密度越大，生长越慢，密度越小，其面积逐渐减小 以至尖灭。布拉维法则—— 晶体上的实际晶面往往平行于格子构造中面网密度 大的面网 。 四、面角守恒定律 歪晶：在 自然界，天然介质中由于杂质和伴随晶体生长而 出现的涡流