功率半导体开关概论.PDFVIP

功率半導體開關概論 目前所用的功率半導體元件，依據可控制的程度可分為三類 1 ．二極體(Diodes) ：導通與否由電力電子電路來決定。 2 ．閘流體(Thyristors) ：導通由控制信號觸發，截止則需藉助電力電子電路。 3 ．可控制開關(Controllable Switches) ：導通與截止皆由控制信號決定。 A.雙極性接面電晶體(BJT) B.金氧場效應電晶體(MOSFET) C.閘關閘流體(GTO) D.閘極絕緣雙接面電晶體(IGBT) 1 二極體 二極體之電路符號及電壓對電流的穩態特性如圖6.1(a)及圖6.1(b)所示， 二極體在順向偏壓時導通，而導通時的壓降約為1伏特。在逆向偏壓時， 只有非常小的洩漏電流通過，直到大於逆向崩潰電壓。通常二極體在正 常操作時，反向電壓必須在逆向崩潰偏壓內。若反向洩漏電流及導通電 壓降與實際電路操作之電流及電壓降比較後可以忽略，則二極體可以用 圖6.1(c)的理想特性表示，以簡化轉換器電路之複雜性。 i i D D i D I A K V rated 0 v v D D V (I ) F 0 vD 逆向耐 壓區 2 i D t 依用途區分，二極體類型可分為： rr 0 t Q