斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术.pdf

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斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术.pdf

第卷第期半导体学报 25 6 VO1. 25 NO. 6 年月 2004 6 CHINESE JOURNAL OF SEMICON UCTORS June 2004 ================================================================= 斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping 技术% 张艳辉孙以材刘新福陈志永河北工业大学微电子所天津 ( 300130) 摘要介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法将直线探针测试方法引入 : Rymaszewski 到方形探针测试并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论应用此测试方法得到了的全 . 75mm 片电阻率分布的图测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性是一种行 mapping 之有效的测量方法. 关键词四探针技术电阻率测量游移测试法 : ; ; ; Rymaszewski PACC : 0750 ; 0270 ; 0660 中图分类号: TN 307 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2004) 06-0682-05 [1] 是美国标准还是国标都要求与边缘平 ASTM 行而不是垂直并且要求距离边缘以上即 6mm 1 引言使对于法证明探针排与圆边界垂直 Rymaszewski 时边界效应无影响也不能断言平行时也无影响