與摻雜濃度和遷移率有關.pptVIP

基礎半導體物理載子傳輸現象 電場及濃度梯度影響下之帶電載子的運動 傳輸過程包括： 載子飄移(carrier drift) 載子擴散(carrier diffusion) 產生與復合過程generation and recombination process) 熱離子發射過程(thermionic emission process) 穿隧過程(tunneling process) 衝擊游離(impact ionization) 3.1 載子飄移（drift） 電場ε=0: 平衡狀態下，自由電子(假設在n型半導體中）的移動受熱能的影響 電場作用下之電子運動 ε≠0時，電子整體朝電場反方向運動，此電場所貢獻的速度分量就稱為飄移速度。 飄移速率為何？ 電場作用下之電子運動(續） 定義 為電子的遷移率?n(mobility) 同理，對電洞而言： Mobility的討論：與?c有關 ?c 受電子碰撞影響，其機制有二： 晶格散射：溫度越高，晶格熱震動越劇烈，?L越小。 雜質散射：雜質濃度越高， ?I越小 溫度越高，電子速度越快，越不受離子場的影響。 合併二種散射機制： 考慮在dt時間內，發生散射的機率為dt/?c: 3.1.2 Resistivity 電場對能帶圖的影響 由能帶圖的斜率可知電場 飄