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标准 MOS晶体管是自隔离，MOS可有较高的密度，但邻近的器件会有寄生效应。 希望场区的VTF大，VTF要高于电源电压3－4 V，保证寄生MOS管的电流小于1 pA。 器件间距近或温度升高均会使VTF下降。T从25??125 ?C，VTF下降2 V。 薄氧化层和很厚的氮化硅层所产生的过大应力可以被多晶硅吸收。 典型工艺：150A的热氧化硅----500A的多晶硅----1500A的氮化硅 鸟嘴可减小至0.1-0.2mm。 薄氧化层和很厚的氮化硅层所产生的过大应力可以被多晶硅吸收。 典型工艺：150A的热氧化硅----500A的多晶硅----1500A的氮化硅 鸟嘴可减小至0.1-0.2mm。 1 * Polysilicon gate is patterned before source and drain are created – thereby actually defining the precise location of the channel region and the locations of the source and drain regions. This allows for very precise positioning of the source and drain relative to the gate. Note that can’t com