3D堆叠技术及TSV技术.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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3D堆叠技术及TSV技术.pdf

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第32卷第l期固体电子学研究与进展 V01．32．No．1 2012年2月 0FSSE Feb．，2012 RESEARCHPROGRESS 3D堆叠技术及TSV技术朱健’ (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2011．11—28收稿．2012·Ol-05收改穑 to to 摘要：介绍了3D堆叠技术及其发展现状，探讨了W2W(waferwafer)及D2W(Diewafer)等3D堆叠方案的 silicon 优缺点，并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Throughvia)互连工艺的关键技术，探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点，介绍了TSV的市场前景和发展路线图．3D堆叠技术及TSV技术已经成为微电子领域研究的热点，是微电子技术及MEMS技术未来发展的必然趋势，也是实现混合集成微系统的关键技术之一。关键词：三维堆叠；硅通孔；三维集成中图分类号：TN405文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2012)01一0073—05 andTSV 3D—stack Technology ZHUJian (Sc论删口材‰^nDzD甜彻M柳DZi￡．Il耙如把g阳据da”“i如口以M以越胁厶妣tD秒， Ⅳn强声ngE如cfr彻坛眈“c￡j，埘f打讲P，讹丝声咒g，210016，￡HⅣ) and of and silicon Abstract：The 3D—stack Via) technoIogiesdevelopments TSV(Through areintroduced．The and of towafer)andD2W(Dieto W2W(Wafer advantagesdisadvantages discussed．Theintroductionfocusesonthe ofTSVinterconnect wafer)are key pro— technology fIowsandfeatures middleandviaIastare Theroad cess．The ofviafirst，via process presented． andmarketvalueofTSV areintroduced．3D—stackandTSVhaVebecomeahot map techn0109y andMEMS researchfieldofm