一种P沟VDMOS器件的研究及实现.pdf

2013年12月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Dec．2013 OFXIDIAN V01．40No．6 第40卷第6期 JOURNAL UNIVERSITY doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2013．06．010 一种P沟VDMOS器件的研究与实现 蒲 石，郝 跃 (西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071) 摘要：分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该 器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构．完全依靠国 A的P沟 内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺，并据此研制出了耐压值80V、输出电流14 VDMOS．测试了其静态和动态参数，均达到了设计要求． 关键词：P沟VDMOS；外延层优化；结终端技术 中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1001—2400(2013)06—0058—04 andrealizationofP—channelVDMOS Development PUShi．HA0Yue of Wide SemiconductorMaterials EducationLab．of (Ministry Key Band-Gap and Devices，XidianUniv．，Xi’an710071，China) Abstract：The thebreakdown andtheon-state relationshipamong voltage，theepitaxiallayerparameter resistanceofP-channelVDMOShasbeen analyzed．ByusingSilvaco，thestructure，physicalparameters andelectrical ofthep-ehannelVDMOScelIaresimulatedand terminal properties optimized．Also，a structurehasbeen forthisdevice．An80V／14AP—channel VDMOShasbeen designed power successfully basedonthe ofdomestic bothofitsstatiCand andmanufactured fab，with dynamic designed totally process characteristicsthe criterionthetests． reachingdesign during Words：P-channel termination Ke