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真空科学与技术学报 第29卷第1期
AND
CH斟ESE OFVACUUMSCIENCETECHNOLOGY 2009年1、2月
JOURNAL
等离子体技术沉积SiCN薄膜中杂质O的来源、
化合状态及其对薄膜结构和性能的影响。
赵艳艳徐军’ 丁万昱张明明 陆文琪
(大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连116024)
of inSiCNFilms
Characterization
OxygenImpurities
Zhao Jun。，Ding
Yanyan，Xu Wanyu，ZhansMingming，LuWenqi
andElectron 1
(Statet6,yLaboratoryofMaterials朋＆岍洳够Laser，IonBeams，DalianofTechno／ogy，Da／／an16024，Ch／na)
University
AbstractTheSiCNfilmswere microwave enhancedunbalance
by cyclotron
deposited resonance(ECR)plasma
onSisubstrates．Themicrostmcturesand ofthefilmswerecharacterizedwith
magnetronsputtering properties X—rayphoto-
electron electron resultsshowthat
spectroscopy(XPS)，scanningmicroscopy(SEM)andellipsometryspectroscopy．The
RF of
the Si determinestheO thattheO anditschemical
power density
sputtering target impuritydensity，and bonding
mode affectthe andmechanical ofthefilms．Atthelowest of
stoichiometries，microstructures
strongly properties power
maximulll0 wasfoundtobe10．63％andSi—Cbonds becauseofthechemicalad-
IOOW，the density dominated，possibly
than wa,s
oftheloosestructuresofthefilms．Ata
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