脉冲激光沉积技术沉积温度对PZTLSAT薄膜生长取向影响.pdfVIP

第3j卷第9期 中 国 激 光 V01．35。No．9 2008年9月 CHINESE OFLASERS September，2008 J()URNAL 文章编号：0258—7025(2008)09—1384—04 生长取向的影响 朱 杰1’2 谢 康1 张 辉2 胡俊涛2 张鹏翔2 ，1电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室，四JII成都610054、 ＼ 2昆明理工大学光电子新材料研究所，云南昆明650051 ／ 摘要 采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过量10％的两种靶材．并利用脉冲激光沉积技术(PI。D)在镧锶铝 c沉积 温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含量对薄膜生长取向的影响。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显 微镜(AFM)表