05 FET放大电路.ppt

例4 MOSFET共漏极放大电路（CD） （源极输出器、电压跟随器） P219 例5.2.6 （自学） 例5 JFET共漏极放大电路（CD） 求: 电压增益、输入电阻 和输出电阻。 解：? 小信号等效电路： vI vo – + ? 电压增益: 电压跟随器 ? 输入电阻 输入电阻很大 ? 输出电阻 方法： 输出电阻小 注意与BJT共集电极放大电路比较 FET三种基本放大电路比较　　　（P221表5.2.1自学） 共漏极放大电路(CD)特点：? 电压跟随器；? 输入电阻很大；? 输出电阻小，带负载能力强。 §5.4 砷化镓金属－－半导体FET P234　（不要求） 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 (P236 自学 了解) 一、各种FET的特性比较 (P237 表5.5.1) 二、使用注意事项 §5.5 各种放大器的特性及使用注意事项 1. 衬底处理：衬底　　源极S 2. D、S可互换使用。 5.5.2　各种放大器件电路性能比较 （P240　表5.5.2 　掌握 ) CE CS CC CD CB CG 要求：会分析电路电压增益、输入电阻、输出电阻 掌握电路特点、用途 中间级 反相放大器 BJT FET 电路组态 特点 用途 放大能力强 电压跟随器 Ri 大、 Ro小带负载能力强 输入级输出级　缓冲级 电流跟随器 Ri 小 高频性能好 高频或宽带放大器 例题：P239　例5.5.1 设计一放大电路，要求：噪声低，输入电阻大且上限频率较高（高频性能好）。 确定电路方案： FET构成的CS放大电路 BJT构成的CB放大电路 CS－CB 组合放大电路 参数选取：（不要求） 解：小信号等效电路： 例题：P239　例5.5.1 已知 试求：电路的中频电压增益；　　输入电阻；输出电阻。 g d s b c e 电压增益： 因为 重点： MOSFET 、JFET特点及外特性。 用小信号模型分析法估算FET放大电路的动态指标。 　（注意与第四章分析方法进行对比） 难点： JFET、MOSFET工作原理。(了解) 《end》 本章小结： 作业：P249　 5.1.1 、 5.1.2 、 5.3.3、 5.3.5、　　　　　　 5.2.9 、 5.3.8 选做：P253　 5.5.1 电路如图1： 试求： 电压增益 、输入电阻及 输出电阻表示式。 图1 课 堂 测 试 * 第五章 场效应管放大电路 1 熟悉MOSFET 、 JFET的外特性、主要 参数、使用注意事项。 2 掌握FET放大电路的工作原理，静态偏　置电路，会用小信号模型方法分析动态性能。 3了解FET工作原理。 基本要求： 学习方法：（比较和归纳） 　　　不同类型FET之间的比较与归纳 与BJT放大电路进行比较与归纳 概 述 5.3结型场效应管 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.4 砷化镓金属－－半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 主要内容： 5.2 MOSFET放大电路 一、 场效应管(Field Effect Transistor----FET): 利用电场效应(输入电压)来控制输出电流 的半导体器件，是单极性器件。 在LSI、VLSI中广泛应用。 二、 特点：1 输入阻抗高； 2 噪声低； 3 热稳定性好； 4 抗辐射能力强； 5 制造工艺简单，便于集成； 6 体积小、耗电省、重量轻、寿命长。 概 述 三、分类： 按基本结构：MOS FET、 JFET （Metal—Oxide—Semiconductor type FET ） (MOSFET、绝缘栅型FET) 利用半导体表面电场进行工作，输入电阻可高达1015? §5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道(电子型、NMOS) P沟道(空穴型、PMOS) 增强型(E型 ) 耗尽型(D型) MOSFET N沟道(电子型、NMOS) P沟道(空穴型、PMOS) vGS=0，无导电沟道 存在 vGS=0，有导电沟道 存在 载流子流经的路径 P衬底 一、结构及符号： 1. 结构： 2 .符号： N+ N+ SiO2 5.1.1　N沟道增强型MOSFET　P199 源极Source S或s 漏极Drain D或d 栅极Gate  G或g 衬底Body  B或b N沟道增强型　　MOSFET G S D B P沟道增强型　　MOSFET G S D B 二 、工作原理:　(P200)　 1. 正常放大时各极电压极性： G、S间加正偏压