2.1 电化学腐蚀机理及腐蚀剂.pptVIP

第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷 缺陷检测的意义： 硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n?结的反向漏电流增大等。 而各种缺陷的产生种类和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。 检测方法 晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、X光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示（化学腐蚀法）等方法。 电化学腐蚀法的特点： （1）设备简单，操作易掌握，又较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。 （2）可以揭示缺陷的类型、数量和分布情况，找出缺陷形成、增殖和晶体制备工艺及器件工艺的关系，为改进工艺，减少缺陷、提高器件合格率和改善器件性能提供线索。 2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂 一、电化学腐蚀机理 1、电化学腐蚀：指金属或半导体材料在电解质溶液中受到的腐蚀，也是指由于形成了原电池而发生电化学作用引起的腐蚀。如图2-1-1： 2、硅单晶形成的电化学腐蚀的特点： （1）半导体被腐蚀的各部分或区域之间存在电位差，有正负极。 （2）不同电极电位相互接触。 （3）不同部分处于连通的电解质溶液中，构成许多微电池。 3、半导体晶体的电化学腐蚀机理: 利用半导体晶体在各种酸或碱性电解质溶液中，表面构成了微电池，由于微电池的电化学作用使晶体表面受到腐蚀，其实质是一种氧化还原反应。 （1）在HNO