以MnOTiOMgO为添加剂注浆成型低温烧结AlO陶瓷.docVIP

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以MnOTiOMgO为添加剂注浆成型低温烧结AlO陶瓷

以MnO2-TiO2-MgO为添加剂注浆成型低温烧结Al2O3陶瓷采用注浆成型方法,通过加入MnO2-TiO2-MgO复相添加剂,在1350空气气氛中常压烧结,获得了相对密度最大为95.7%的氧化铝陶瓷。研究了MnO2-TiO2-MgO复相添加剂对氧化铝陶瓷显微结构与力学性能的影响。在添加质量分数为3%MnO2,0.5%MgO的情况下,比较添加不同质量分数的TiO2(1.0~3.0%)对氧化铝陶瓷烧结性能的影响。通过对比发现,该复相添加剂能有效降低氧化铝陶瓷的烧结温度,在同一温度下,随着TiO2的增加,烧结体密度也随之增加,强度也有明显差别。结果表明,1350下Al2O3+0.5%MgO+3%MnO2+1.5%TiO2体系烧结效果最好,断口为沿晶断裂,无明显气孔,晶粒分布均匀,平均粒径为2μm,无晶粒异常长大现象。烧结体密度达到3.80g/cm^3,抗弯强度为243MPa。结果表明,添加TiO2 5%、在1300oC时的常压烧结密度可达到理论值的97%.固定CuO(0.4%)和TiO2(4%)的添加量、改变TiO2(0--32%)和CuO(0--3.2%)的添加量(质量分数, 下同), 研究了CuO--TiO2复合助剂对氧化铝陶瓷烧结性能、微观结构、物相组成以及烧结激活能的影响, 以揭示复合助剂的低温烧结机理。结果表明, 在1150--1200℃TiO2固溶入Al2O3生成Al2Ti7O15相, 并生成大量正离子空位提高了扩散系数, 从而以固相反应烧结的作用机理促进了氧化铝陶瓷的致密化; TiO2在Al2O3中的极限固溶度为2%--4%, 超过固溶极限的TiO2对陶瓷烧结没有促进作用; 添加适量的CuO(0.4%)可将TiO2在Al2O3中的固溶温度降低到1100℃以下, 并以液相润湿作用促进氧化铝陶瓷的致密烧结。陶瓷烧结激活能的计算结果定量地印证了上述烧结机理; 当在Al2O3中添加4%的TiO2和2.4%的CuO, 可将烧结激活能降低到54.15 kJ?? mol-1。 研究了单独引入TiO2、CAS(CaO-Al2O3-SiO2)及协同引入TiO2和CAS时3种情形对氧化铝材料显微结构影响。实验表明,单独引入TiO2时,随添加量从0.15%(质量分数,下同)增加到0.60%,Al2O3样品的晶粒形貌由正常生长逐渐向异向生长和异常长大转变;而单独引入CAS,即使添加量达到2.0%,Al2O3晶粒也没有出现异向生长和异常长大;实验还表明,在添加TiO2,同时引入CAS时,可以有效抑制TiO2添加所引起的Al2O3晶粒异常长大和异向生长。对CAS添加剂抑制晶粒异常长大和异向生长的原因进行了讨论。高温球阀喷涂 Al2O3-TiO2 和 WC-Co 涂层的耐磨粒磨损性能研究 上海沪工阀门厂 2010-07-19 摘要:采用激光等离子喷涂技术在已失效的高温球阀基体材料上制备 Al2O3-TiO2 与 WC-Co 金属陶瓷涂层,在摩擦磨损试验机上时涂层的耐磨粒磨损性能进行研究,利用扫描电镜、光学显微镜对涂层的显微组织结构、磨损表面及其相组进行分析,并采用维氏显微硬度计、WE-50 型液压拉伸验机和箱式电热炉对涂层的显微硬度、结合强度及杭热震性进行测试。结果表明 Al2O3-TiO2 金属陶瓷涂层的综合性能最好,可以用于失效高温球阀的再制造。 关键词:高温球阀;激光等离子喷涂;金属陶瓷涂层;磨杜磨损 近年来,激光等离子喷涂技术应用于机械零部件再制造研究已引起了广泛的关注。采用激光等离子喷涂耐磨材料覆盖磨蚀表面,不仅可以恢复使用失效的零件,而且可以提高材料的使用寿命,具有重要的应用价值和较好的经济效益。金属硬密封球阀能适用于高温、高压工况,具有流动阻力小、启闭迅速、使用压力、温度范围广等特点。但是,当通过球阀介质为液固或气固混合物料且固体颗粒硬度又很高时,阀门球阀球体和阀体密封面对耐磨性能要求较高,特别是气固混合介质引起的球体与阀座间的干摩擦,极易造成密封面的过度磨损或拉伤而最终导致失效。某企业重整催化剂再生系统采用美国某公司的高温球阀,其寿命短则几天,长则不到 1 个月。目前,解决的办法是更换球阀或对球体和阀座密封面进行研磨后重新投入使用,但如此频繁地更换或维修,不仅增加了生产成本和维护人员的劳动强度,且每年因阀门频繁失效,造成停工、检修所带来的经济损失达数百万元。为此,笔者采用激光等离子喷涂技术,在高温球阀阀芯材料表面制备出 Al2O3-TiO2 与 WC-Co 金属陶瓷涂层,并对涂层的耐磨损性能机理和高温综合性能进行了研究。 1 试样制备及试验方法 1.1 涂层试样制备 试验采用阀芯球体材料 40Cr13 马氏体不锈钢作为喷涂基体材料,尺寸为 Φ60mm×15mm;其化学成分(以质量分数计,下同)为:0.38% C、0.62% Si

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