PECVD石墨舟对镀膜的影响？.docx

PECVD石墨舟对镀膜的影响？ 摘要: 　　　　使用管式PECVD镀膜，设备原配的石墨舟载片168片，为了提高产能，近期试用了载片196片的石墨舟，但在试用及调试过程中出现了很多异常如图所示： (点击图片可以查看清晰大图) 　　snokehy 　　 ...　　huafei920 　　使用管式PECVD镀膜，设备原配的石墨舟载片168片，为了提高产能，近期试用了载片196片的石墨舟，但在试用及调试过程中出现了很多异常如图所示：???(点击图片可以查看清晰大图)　　snokehy 　　电极板间距的变化是比较关键的，一般来说，间距的变化对于Depo rate/U%以及Reflect影响很大，本身这种舟式多片结构对于reflect控制不是太好，无法做到每个电极板腔室的单独控制，也就会产生舟中间和头尾之间比较大的差异。　　我们的PECVD工程师，建议不要改变电极间距（会影响等离子电场分布），原先我们也做过类似的变化，色差比较严重，现在基本是保证间距不变的基础上稍微增加几个电极板，效果还可以。?　　sunchenxi2003 　　168变196片，舟片间距肯定是要变化的，否则舟片间的电场强度就会降低很多。石墨舟的舟片间距和数量是对镀膜至关重要，增加了舟片就要相应的减少片间距，并增大射频电源的功率。你做168片的时候射频功率是2500W，建议做196提高到3000瓦试试。并且你的问题片只出现在中间靠近射频电源的地方很大的可能是石墨舟的问题，你的石墨舟电极突出一小部分这样会使电极和舟片间的电离强度增大，减小了这2片舟片间的沉积效果。电极隔块上的花纹就是放电沉积的结果，可以加的工艺气体流量看看是否有改善。设备应该是不存在什么问题的。?　　aogui44　　建议先看看石墨舟的清洗和饱和工艺是否匹配，这样的花纹是每个舟都有吗，应该不是每次都有吧。还有温度过高会降低沉积速率，增加一下压力试试。?　　忆梦初　　射频的输出是按你设定的要求工作的，射频发生器的差异不是关键！　　石墨舟是正负间隔连接的，可以等效看成是多个电容器的并联，那么舟片正对面积和舟片间距的改变就会导致电容器容抗的变化，导致镀膜的场强变化。建议你增加压力，一般的效果是中间镀膜异常区域的面积会越来越小，然后适当改变气流比例(注意是气流比例,SIH4在特气中的比例较为重要)，同时适当等比例增加气流总量！为了能有效增加场强强度，功率也需要增加！?　　huafei920　　还想了解射频电源工作时主要是电压影响大？还是电流影响大？还是二者共同更影响？　　我发现有时相同功率对应着不同的电流和电压，比如下面两个：　　1、 功率2500W，电流8.3A，电压313V；　　2、 功率2500W，电流6.7A，电压390V；　　另外，对于48所管P，腔体压力的一般控制范围在多少？如果超标了会怎么样？　　今天将功率由原先的2500W增大到2750W，?? SiH4/NH3从原来的300/5600调整为380/5600,　　现镀膜结果较原先有很大的改善，但中间几片电极片从头端到尾端的颜色是逐渐变淡的，　　 ??　　babyben 　　看这个设备图是否可以理解，168和196的电极数不同。同样的设备腔体，电极数不同，即表示电极间距改变了。改变电极间距对镀膜有较大的影响。一般电极间距改变几毫米都会影响等离子的状态分布，使镀膜均匀度改变。一旦改变电极间距，整个等离子场需要重新调整才能恢复之前的效果。例如改变：功率，流量，放电时间。射频电源电压电流存在功率匹配问题，都有一定影响。?　　忆梦初　　近气口电离不足，主要还是反应不足，功率需要再尝试，还有压强，均需要增加。占空比建议不要随意调节，因为一方面调节后会大大影响均匀性，另一方面对射频也有一定损伤。?　　huafei920 　　为什么占空比26/30，镀膜只要9~10分钟；而占空比36/40，镀膜却要14~15分钟呢？　　如果把占空比理解为射频电源的开/关的话，26/30=86.7%； 而36/40=90%；即36/40的电源利用率比26/30还高呢，为什么镀膜的时间还要长呢？?　　忆梦初　　特气是舟片正负极间的介质，就像是在电容间放入陶瓷一样（此前说过舟片就像是电容器并联一样）介质不同，介电常数也不一样，SIH4的在特气中的比例增加后，介电常数变大，电压变大，由于射频为等功率输出，所以在舟的两个电极上的等效功率是一定的，那么电压变大，电流就会变小。　　对于占空比的情况：占空比就像是脉冲波，有一个周期，整个周期中脉冲开启的时间/整个周期的时间=占空比，如果占空比加大，沉积速率也会加快，但是均匀性会变差！我们使用的不是84所的，但是原理大致都是相同的，理论上时间是不会增加的。?　　huafei920　　昨天在石墨舟电极隔块上发现一些白色和黄色的物质，不知什么东西，如何形