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去胶工艺培训材料 去胶工艺简介 目前线上采用多种方式的去胶工艺 溶剂去胶:主要用于金属之后的去胶，如：SST，WCAKR01；WCDNS01。 氧化去胶:H2SO4/H2O2=10：1去胶、SC1（NH4OH/H2O2）去胶 干法去胶:有等离子去胶、紫外光分解法去胶等， 目前我们在用的干法去胶工艺主要采用Gasonic Aura 1000 /3510/IPC21011等离子体去胶 CSMC去胶工艺模块 A1000/3510干法去胶工艺 A1000/3510干法去胶工艺简介 Aura1000/3510干法去胶设备为一种等离子下游式去胶，其去胶方式可以更小地减少对硅片的等离子损伤，去胶使用气体主要为O2，与光刻胶中的C反应生成CO，去胶温度一般为150-250℃。 O2在低压反应室中由于受到高频电场的作用，被激发成游离态氧原子O*，并发生反应： O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止离化后的O*再次结合为O2以及增强离子轰击。 A1000设备结构原理图 3510设备结构原理图 A1000/3510设备基本参数 A1000/3510工艺原理 当反应气体进入PLASMA TUBE，流经PRE-FIRE SPARKER或UV时，SPARKER产生高压火花或UV激发气体，打破部分O2分子的分子键，并增强气体分子的能量，然后进入由磁电管产生1000W，2.45GHz的微波的PLASMA TUBE，进一步促使O2分子分解成游离基O1，O1是极不稳定的，具有很强的活性，与光刻胶中的主要成分C结合形成CO、CO2，由泵抽出工艺腔。 PLASMA的形成 工艺温度的控制：温度是影响去胶时间唯一一个也是最为重要的因素。温度越高去胶速率就越快。 1.A1000的工艺温度控制： A1000设备是通过3盏卤素灯（LAMP1 1000W/120V，LAMP2 250W/120V，LAMP3 1000W/120V）来加热的，其中LAMP1、LAMP3为高温灯，一般设定工作时间为10-15秒，LAMP2为低温灯，一般设定为工艺时间。 三盏卤素灯都打开可以很快的加热圆片，一般10-13秒就能使圆片的温度达到200℃。 在工艺腔进行去胶工艺时，一般圆片被加热至250℃左右。 2.3510的温度：主要靠热板（一般设定为250℃）来预热圆片，为了增加去胶速率，圆片顶部的灯也开出一定的灯的强度，但灯的强度越大则腐蚀均匀性越差。 A1000的工艺过程简介 圆片传至工艺腔，门关上； 3盏卤素灯开始工作； 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至2MT； 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2O2）； 系统检测参数，火花塞点火，加RF功率，开始去胶工艺； 关闭LAMP13 ,LAMP2继续工作； 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； LAMP2、RF功率、火花塞停止工作； 腔体充气至大气状态，圆片传至下料腔； 3510的工艺过程简介 圆片传至工艺腔，门关上； PIN把圆片放到热板上（大剂量注入后圆片去胶STEP1无须放到热板上）； 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至2MT； 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2O2），如预设灯照，则灯打开。 系统检测参数，UV激发工艺气体，加RF功率，开始去胶工艺；灯到设定的时间后关闭。 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； 腔体充气至大气状态，圆片传至冷却腔，冷却完毕下料到片架中。 其他及其注意事项 为了保持A1000的工艺稳定，通常采用复合式菜单，如菜单BC、DE，即在进行去胶工艺之前，运行一个程序B、D，过程中打开卤素灯进行加热，并且通入工艺气体。采用复合程序去胶能增强去胶能力。但设备允许最多连续依次运行3个程序。 采用复合菜单可以大大缩短去胶工艺时间 A1000实验数据1(速率随工艺时间变化的关系） Recipe:A 4.5O2/0.5N2/RF on/2.5T/lamp(13-x-13) A1000实验数据2 (去胶能力随工艺时间变化的关系） Recipe:BC B:4.5O2/0.5N2/RF off/2.5T/lamp(9-15-9) C:4.5O2/0.5N2/RF on/2.5T/lamp(9-x-9) A1000实验数据3 (去胶能力随灯照时间的变化关系） A1000第一片效应 A1000速率有波动，但基本是自第三片开始趋于稳定。 ICP2101去胶 ER21011是批处理干法去胶设备，属于圆筒型等离子腐蚀机 ， I