华南理工数电第二章.ppt

第二章 门电路 本章内容涉及较多的集成电路内部结构 和物理概念，学习重点放在器件的外部特性 及器件的使用方面。 2.1 概述 1.电平：一个电压的范围。 2.正逻辑、负逻辑 例：用真值表证明:正与门即负或门。 AB Y+ AB Y- 00 0 11 1 01 0 10 1 10 0 01 1 11 1 00 0 正逻辑 负逻辑 Y+ =AB Y- =A+B 注意：不管输入还是输出,全部“1”换为“0”、全部“0”换为“1”。 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性无触点开关 2.2.1 半导体二极管的开关特性 单回路：控制和开关同一个回路 正向导通—相当于开关接通 反向截止—相当于开关断开 开关需要延迟时间，几纳秒 2.2.2 半导体三极管的开关特性 双回路：分控制回路和开关回路两个回路 工作在截止区—相当于开关接通 工作在饱和区—相当于开关断开 开关需要延迟时间，几—几十纳秒 2.2.1 半导体二极管的开关特性 正向导通—开关接通 二极管两端正向电压VD大于开启电压（硅：0.7V，锗：0.3V） 2.2.1 半导体二极管的开关特性 反向截止—开关断开 二极管两端加反向电压时 i≈0，仅有少量漏电流 动态特性 1.输出信号的变化比输入 信号延迟几纳秒。 2.负跳变时有相对较大的 反向电流。 2.2.2 半导体三极管的开关特性 三极管输出特性曲线 2.2.2 半导体三极管的开关特性 截止区—开关断开 特点：iC ICEO≈0，VO≈VCC 条件vBEVON （ vBE0V ） 饱和区—开关接通 特点： VCE VCE(sat) ≈0.1-0.3V 条件：iBIBS=ICS/β ICS ≈VCC/RC 三极管做开关使用有 延迟时间，tpd(几纳秒) 2.3 分立元件门电路 2.3.1 二极管与门（正逻辑）1 3V左右、0 0V左右 VCC=+(5—10)V 2.3 分立元件门电路 2.3.2 二极管或门（正逻辑）1 3V左右、0 0V左右 2.3 三极管非门 电路图 A=0时，T截止，Y=1 A=1时，T饱和，Y=0 设计要求 A=0，T可靠截止 要求：vBE≤0 A=1，T深度饱和 要求：vBE VON，iBIBS=ICS/β 2.3 三极管非门 例题 P61 2.3.1 1. A=0（VI=0V） VBE=-2.0V，T可靠截止 iC=0 vO=VCC=5.0V 2.3 三极管非门 2. A=1（VI=3V） 忽略IB VBE=1.8VVON，T导通 （放大？饱和？） 2.3 三极管非门 A=1（VI=3V） 饱和时基极电流： iBIBS，故T饱和，IC=ICS、vO=VCE(sat)≈0 作业讲评 2.1估算法： 当输入端悬空时，VBE=-10V，T截止，VO=10V。 当输入VI=0V时，VBE=-2.03V，T截止，VO=10V。 当输入VI=5V时，VBE=1.93V，T导通；IB=0.3mA，IBS=0.16mA，iBIBS， T饱和，VO=0V。 2.2见第3页 2.4 集成电路发展的概况 从结构上集成电路可分为两大类:即：TTL（如74系列）和 CMOS（如CC系列）电路。 2.4 TTL门电路 2.4.1 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 A=0（vI=VIL=0.3V） 因 VCC=5V 使 T1导通,VB1=1V 使 T2截止、T5截止 因T2截止、使T4饱和 Y=1（v0=VOH=3.3V） 一、电路结构 A=1（vI=VIH=3.3V） T1倒置工作，VB1=2.1V 使T2饱和、T5饱和 因T2饱和，使T4截止 Y=0（vO=VOL=0.3V） 注：倒置工作状态 特点：1.iE，iC 电流方向与正常 工作状态相反， 2.β≈0.01 条件：VEVBVC 二、电压传输特性 三、输入端噪声容限 VNH=VOH(min)-VIH(min) =2.4-2.0 =0.4V VNL=VIL(max)-VOL(max) =0.8-0.4 =0.4V 2.4.2 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 一、输入特性（以流入集成电路内部为电流的正方向） 如74系列 vI=VIL=0.2V vI=VIH=3.4V 输入特性曲线 二、输出特性 1、高电平输出特性（拉电流）高电平额定电流IOH为负值，几百微安。 二、输出特性 2、低电平输出特性 （由外部电源提供灌电流）